Quin és el principi de funcionament del MOSFET?

Títol MOSFET (abreviatura de transistor d'efecte de camp (FET)).MOSFET. per un nombre reduït de portadors per participar en la conductivitat tèrmica, també coneguda com a transistor d'unió multipols. Es classifica com un dispositiu semisuperconductor controlat per tensió. La resistència de sortida existent és alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), baix soroll, baix consum d'energia, rang estàtic, fàcil d'integrar, sense segon fenomen d'avaria, la tasca d'assegurança de l'ample mar i altres avantatges, ara ha canviat el transistor d'unió bipolar i transistor d'unió de potència dels col·laboradors forts.

Característiques del MOSFET

Primer: MOSFET és un dispositiu de control de tensió, que a través del VGS (tensió de la font de la porta) fins a l'ID mestre (drenatge de CC);

Segon:MOSFETLa sortida DC és molt petita, de manera que la seva resistència de sortida és molt gran.

Tres: s'apliquen uns quants portadors per conduir la calor, i així té una millor mesura d'estabilitat;

Quatre: consisteix en un recorregut reduït de reducció elèctrica de coeficients petits per ser més petit que el transistor consisteix en un recorregut reduït de reducció elèctrica de coeficients petits;

Cinquè: poder anti-irradiació MOSFET;

Sis: perquè no hi ha activitat defectuosa de la dispersió minoritària causada per partícules de soroll disperses, perquè el soroll és baix.

Principi de tasca MOSFET

MOSFETprincipi de tasca en una frase, és a dir, "drenatge - font camina pel canal entre l'ID, amb l'elèctrode i el canal entre el pn construït en una tensió d'elèctrode de polarització inversa per dominar l'ID". Amb més precisió, l'amplitud de l'ID a través del circuit, és a dir, l'àrea de la secció transversal del canal, és per la variació esbiaixada de la unió pn, l'aparició de la capa d'esgotament per ampliar la variació del domini de la raó. En el mar no saturat de VGS = 0, l'expansió de la capa de transició indicada no és molt gran perquè, segons el camp magnètic de VDS afegit entre la font de drenatge, alguns electrons del mar font són allunyats pel drenatge. , és a dir, hi ha una activitat d'ID DC des del drenatge fins a la font. La capa moderada que s'expandeix des de la porta fins al desguàs formarà un tipus d'obstrucció de tot el cos del canal, ID complet. Consulteu aquest patró com a pessic. Això simbolitza que la capa de transició obstrueix tot el canal, i no és que el DC estigui tallat.

A la capa de transició, com que no hi ha moviment propi d'electrons i forats, en la forma real de les característiques aïllants de l'existència del corrent continu general és difícil de moure. Tanmateix, el camp magnètic entre el drenatge - font, a la pràctica, el drenatge de contacte de dues capes de transició i el pol de la porta inferior esquerra, perquè el camp magnètic de deriva atrau els electrons d'alta velocitat a través de la capa de transició. Com que la força del camp magnètic de deriva simplement no canvia la plenitud de l'escena d'ID. En segon lloc, VGS a la posició negativa canvia, de manera que VGS = VGS (apagat), llavors la capa de transició canvia en gran mesura la forma de cobrir tot el mar. I el camp magnètic de VDS s'afegeix en gran mesura a la capa de transició, el camp magnètic que atrau l'electró a la posició de deriva, sempre que estigui a prop del pol font del tot molt curt, que és més perquè la potència de CC no sigui capaç d'estancar.