Quina diferència hi ha entre MOSFET i IGBT? Olukey respondrà les teves preguntes!

Com a elements de commutació, MOSFET i IGBT apareixen sovint en circuits electrònics. També són semblants en aparença i paràmetres característics. Crec que molta gent es preguntarà per què alguns circuits necessiten utilitzar MOSFET, mentre que altres ho fan. IGBT?

Quina diferència hi ha entre ells? A continuació,Olukeyrespondrà les teves preguntes!

Què és aMOSFET?

MOSFET, el nom xinès complet és transistor d'efecte de camp de semiconductors d'òxid metàl·lic. Com que la porta d'aquest transistor d'efecte de camp està aïllada per una capa aïllant, també s'anomena transistor d'efecte de camp de porta aïllada. MOSFET es pot dividir en dos tipus: "tipus N" i "tipus P" segons la polaritat del seu "canal" (portador de treball), normalment també anomenat N MOSFET i P MOSFET.

El propi MOSFET té el seu propi díode paràsit, que s'utilitza per evitar que el MOSFET es cremi quan el VDD té sobretensió. Com que abans que la sobretensió provoqui danys al MOSFET, el díode es trenca a la inversa i dirigeix el gran corrent a terra, evitant així que el MOSFET es cremi.

Diagrama del principi de funcionament del MOSFET

Què és l'IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) és un dispositiu semiconductor compost compost per un transistor i un MOSFET.

Els símbols del circuit d'IGBT encara no estan unificats. Quan es dibuixa el diagrama esquemàtic, generalment es prenen prestats els símbols de triode i MOSFET. En aquest moment, podeu jutjar si és IGBT o MOSFET a partir del model marcat al diagrama esquemàtic.

Al mateix temps, també hauríeu de prestar atenció a si l'IGBT té un díode corporal. Si no està marcat a la imatge, no vol dir que no existeixi. A menys que les dades oficials indiquen específicament el contrari, aquest díode està present. El díode corporal a l'interior de l'IGBT no és paràsit, però està especialment configurat per protegir el fràgil voltatge de resistència inversa de l'IGBT. També s'anomena FWD (díode de roda lliure).

L'estructura interna dels dos és diferent

Els tres pols del MOSFET són la font (S), el drenatge (D) i la porta (G).

Els tres pols de l'IGBT són el col·lector (C), l'emissor (E) i la porta (G).

Un IGBT es construeix afegint una capa addicional al drenatge d'un MOSFET. La seva estructura interna és la següent:

Els camps d'aplicació dels dos són diferents

Les estructures internes de MOSFET i IGBT són diferents, la qual cosa determina els seus camps d'aplicació.

A causa de l'estructura del MOSFET, normalment pot aconseguir un gran corrent, que pot arribar a KA, però la capacitat de suport de la tensió requisit no és tan forta com IGBT. Les seves principals àrees d'aplicació són fonts d'alimentació de commutació, llasts, calefacció per inducció d'alta freqüència, màquines de soldadura d'inverter d'alta freqüència, fonts d'alimentació de comunicació i altres camps d'alimentació d'alta freqüència.

IGBT pot produir molta potència, corrent i tensió, però la freqüència no és massa alta. Actualment, la velocitat de commutació dura de l'IGBT pot arribar als 100 KHZ. IGBT s'utilitza àmpliament en màquines de soldadura, inversors, convertidors de freqüència, fonts d'alimentació electrolítiques de galvanoplastia, calefacció per inducció ultrasònica i altres camps.

Característiques principals de MOSFET i IGBT

MOSFET té les característiques d'alta impedància d'entrada, velocitat de commutació ràpida, bona estabilitat tèrmica, corrent de control de tensió, etc. Al circuit, es pot utilitzar com a amplificador, interruptor electrònic i altres finalitats.

Com a nou tipus de dispositiu semiconductors electrònic, IGBT té les característiques d'alta impedància d'entrada, consum d'energia de control de baixa tensió, circuit de control simple, resistència d'alta tensió i gran tolerància de corrent, i s'ha utilitzat àmpliament en diversos circuits electrònics.

El circuit equivalent ideal d'IGBT es mostra a la figura següent. IGBT és en realitat una combinació de MOSFET i transistor. MOSFET té l'inconvenient d'una alta resistència a l'encesa, però IGBT supera aquesta mancança. IGBT encara té una baixa resistència a l'alta tensió. .

En general, l'avantatge del MOSFET és que té bones característiques d'alta freqüència i pot funcionar a una freqüència de centenars de kHz i fins a MHz. El desavantatge és que la resistència a l'encesa és gran i el consum d'energia és gran en situacions d'alta tensió i intensitat. IGBT funciona bé en situacions de baixa freqüència i alta potència, amb una petita resistència a l'encesa i una alta tensió de resistència.

Trieu MOSFET o IGBT

Al circuit, triar MOSFET com a tub de l'interruptor d'alimentació o IGBT és una pregunta que sovint es troben els enginyers. Si es tenen en compte factors com ara la tensió, el corrent i la potència de commutació del sistema, es poden resumir els punts següents:

La gent sovint es pregunta: "És millor MOSFET o IGBT?" De fet, no hi ha cap diferència bona o dolenta entre els dos. El més important és veure la seva aplicació real.

Si encara teniu preguntes sobre la diferència entre MOSFET i IGBT, podeu contactar amb Olukey per obtenir més informació.

Olukey distribueix principalment productes MOSFET de mitjana i baixa tensió WINSOK. Els productes s'utilitzen àmpliament a la indústria militar, plaques de controlador LED/LCD, plaques de controlador de motor, càrrega ràpida, cigarrets electrònics, monitors LCD, fonts d'alimentació, petits electrodomèstics, productes mèdics i productes Bluetooth. Balances electròniques, electrònica de vehicles, productes de xarxa, electrodomèstics, perifèrics d'ordinador i diversos productes digitals.