Quines són les causes de la calor al MOSFET d'un inversor?

El de l'inversorMOSFETfuncionen en estat de commutació i el corrent que circula pels tubs és molt elevat. Si el tub no es selecciona correctament, l'amplitud de la tensió de conducció no és prou gran o la dissipació de calor del circuit no és bona, pot provocar que el MOSFET s'escalfi.

1, l'escalfament MOSFET de l'inversor és greu, hauria de parar atenció a la selecció de MOSFET

MOSFET a l'inversor en estat de commutació, generalment requereix el seu corrent de drenatge el més gran possible, la resistència a l'encesa el més petita possible, que pot reduir la caiguda de tensió de saturació del tub, reduint així el tub ja que el consum, reduir la calor.

Comproveu el manual del MOSFET, trobarem que com més gran sigui el valor de tensió de resistència del MOSFET, més gran és la seva resistència a l'encesa, i aquells amb un alt corrent de drenatge i un valor de tensió de resistència baix del tub, la seva resistència generalment és inferior a desenes de miliohms.

Suposant un corrent de càrrega de 5 A, escollim l'inversor que s'utilitza habitualment MOSFET RU75N08R i un valor de resistència a la tensió de 500 V 840 pot ser, el seu corrent de drenatge és de 5 A o més, però la resistència encesa dels dos tubs és diferent, condueix el mateix corrent. , la seva diferència de calor és molt gran. La resistència activada del 75N08R és només de 0,008Ω, mentre que la resistència encesa del 840 és de 0,85Ω, quan el corrent de càrrega que flueix pel tub és de 5A, la caiguda de tensió del tub 75N08R és de només 0,04V, en aquest moment, el consum del tub MOSFET és només 0,2 W, mentre que la caiguda de tensió del tub 840 pot ser de fins a 4,25 W, el el consum del tub és de fins a 21,25 W. A partir d'això es pot veure, com més petita sigui la resistència a l'encesa del MOSFET de l'inversor, millor, la resistència a l'encesa del tub és gran, el consum del tub amb un corrent elevat La resistència a l'encesa del MOSFET de l'inversor és tan petita com sigui possible.

2, el circuit de conducció de l'amplitud de la tensió de conducció no és prou gran

MOSFET és un dispositiu de control de tensió, si voleu reduir el consum del tub, reduir la calor,MOSFETL'amplitud de la tensió d'accionament de la porta ha de ser prou gran com per impulsar la vora del pols perquè sigui pronunciada i recta, podeu reduir la caiguda de tensió del tub i reduir el consum del tub.

3, la dissipació de calor MOSFET no és una bona causa

InversorMOSFETla calefacció és greu. Com que el consum d'energia MOSFET de l'inversor és gran, el treball generalment requereix una àrea externa prou gran del dissipador de calor, i el dissipador de calor extern i el propi MOSFET entre el dissipador de calor haurien d'estar en contacte estret amb (generalment es requereix recobert amb greix de silicona tèrmicament conductor). ), si el dissipador de calor extern és més petit, o el contacte amb el propi dissipador de calor del MOSFET no és prou a prop, pot provocar l'escalfament del tub.

Escalfament MOSFET inversor greu hi ha quatre raons per al resum.

L'escalfament lleuger MOSFET és un fenomen normal, però l'escalfament greu, fins i tot provocant la crema del tub, hi ha les quatre raons següents:

1, el problema del disseny de circuits

Deixeu que el MOSFET funcioni en un estat de funcionament lineal, més que en l'estat del circuit de commutació. També és una de les causes de l'escalfament MOSFET. Si l'N-MOS està fent la commutació, el voltatge de nivell G ha de ser uns V més alt que la font d'alimentació per estar completament encès, mentre que el P-MOS és el contrari. No està completament obert i la caiguda de tensió és massa gran, donant lloc a un consum d'energia, la impedància de CC equivalent és més gran, la caiguda de tensió augmenta, de manera que U * I també augmenta, la pèrdua significa calor. Aquest és l'error més evitat en el disseny del circuit.

2, una freqüència massa alta

La raó principal és que, de vegades, la recerca excessiva del volum, el que resulta en un augment de la freqüència, les pèrdues de MOSFET en gran mesura, de manera que la calor també augmenta.

3, no hi ha prou disseny tèrmic

Si el corrent és massa alt, el valor nominal de corrent del MOSFET, normalment requereix una bona dissipació de calor per aconseguir-ho. Per tant, l'ID és inferior al corrent màxim, també pot escalfar-se malament, necessitar prou dissipador de calor auxiliar.

4, la selecció de MOSFET és incorrecta

Judici errònia de la potència, la resistència interna del MOSFET no es té en compte del tot, cosa que augmenta la impedància de commutació.