El paper dels MOSFET en els circuits

MOSFETjugar un paperen circuits de commutacióés controlar el circuit on i apagat i la conversió del senyal.MOSFET es pot dividir àmpliament en dues categories: canal N i canal P.

En el canal NMOSFETcircuit, el PIN BEEP és alt per activar la resposta del timbre i baix per apagar el timbre. Canal PMOSFETper controlar l'alimentació del mòdul GPS encès i apagat, el pin GPS_PWR és baix quan està activat, el mòdul GPS està font d'alimentació normal, i alt per apagar el mòdul GPS.

Canal PMOSFETal substrat de silici de tipus N a la regió P + té dos: drenatge i font. Aquests dos pols no són conductors entre si, quan hi ha prou tensió positiva afegit a la font quan es posa a terra, la superfície de silici de tipus N per sota de la porta emergirà com una capa inversa de tipus P, en un canal que connecta el drenatge i la font. . Canviar la tensió a la porta canvia la densitat dels forats del canal, canviant així la resistència del canal. Això s'anomena transistor d'efecte de camp de millora del canal P.

Les característiques NMOS, Vgs sempre que siguin superiors a un determinat valor estaran activades, aplicables a la caixa de la unitat de gamma baixa a terra de la font, sempre que la tensió de la porta de 4V o 10V a la línia.

Les característiques de PMOS, al contrari de NMOS, s'activaran sempre que Vgs sigui inferior a un determinat valor, i és adequat per al seu ús en el cas d'un disc de gamma alta quan la font està connectada a VCC. Tanmateix, a causa del nombre reduït de tipus de reemplaçament, alta resistència i preu elevat, tot i que PMOS es pot utilitzar molt convenientment en el cas de la unitat de gamma alta, de manera que a la unitat de gamma alta, generalment encara s'utilitza NMOS.

En general,MOSFETtenen una alta impedància d'entrada, faciliten l'acoblament directe als circuits i són relativament fàcils de fabricar en circuits integrats a gran escala.