La connexió entre els MOSFET i els transistors d'efecte de camp

La indústria dels components electrònics ha arribat on és ara sense l'ajuda deMOSFETi transistors d'efecte de camp. Tanmateix, per a algunes persones que són noves en la indústria electrònica, sovint és fàcil confondre els MOSFET i els transistors d'efecte de camp. Quina és la connexió darrere dels MOSFET i els transistors d'efecte de camp? És un MOSFET un transistor d'efecte de camp o no?

De fet, segons la inclusió d'aquests components electrònics, aquest MOSFET és que el transistor d'efecte de camp no és cap problema, però al revés no és correcte, és a dir, el transistor d'efecte de camp no només inclou MOSFET, sinó que també inclou altres components electrònics.

Els transistors d'efecte de camp es poden dividir en tubs d'unió i MOSFET. En comparació amb els MOSFET, els tubs d'unió s'utilitzen amb menys freqüència, de manera que la freqüència d'esmentar els tubs d'unió també és molt baixa, i sovint s'esmenten MOSFET i transistors d'efecte de camp, de manera que és fàcil donar un malentès que són el mateix tipus de components.

MOSFETes pot dividir en tipus de millora i tipus d'esgotament, el principi de funcionament d'aquests dos components electrònics és lleugerament diferent, el tipus de tub de millora a la porta (G) més la tensió positiva, el drenatge (D) i la font (S) per tal de conducte, mentre que el tipus d'esgotament encara que la porta (G) no s'afegeix a la tensió positiva, el drenatge (D) i la font (S) també són conductores.

Aquí la classificació del transistor d'efecte de camp no ha acabat, cada tipus de tub es pot dividir en tubs de tipus N i tubs de tipus P, de manera que el transistor d'efecte de camp es pot dividir en sis tipus de canonades a continuació, respectivament, canal N. transistors d'efecte de camp d'unió, transistors d'efecte de camp d'unió de canal P, transistors d'efecte de camp de millora de canal N, transistors d'efecte de camp de millora de canal P, efecte de camp d'esgotament de canal N transistors i transistors d'efecte de camp del tipus d'esgotament del canal P.

Cada component del diagrama de circuits dels símbols del circuit és diferent, per exemple, la imatge següent enumera els símbols del circuit dels dos tipus de tubs d'unió, la fletxa del pin número 2 apuntant al tub per al transistor d'efecte de camp d'unió de canal N. , apuntant cap a fora hi ha el transistor d'efecte de camp d'unió del canal P.

MOSFETi la diferència de símbol del circuit del tub d'unió encara és relativament gran, el transistor d'efecte de camp del tipus d'esgotament del canal N i el transistor d'efecte de camp del tipus d'esgotament del canal P, la mateixa fletxa apuntant a la canonada per al tipus N, apuntant cap a fora és el tub de tipus P . De la mateixa manera, la distinció entre els transistors d'efecte de camp de millora de canal N i els transistors d'efecte de camp de millora de canal P també es basa en l'apunt de la fletxa, apuntar a la canonada és de tipus N i apuntar cap a fora és de tipus P.

Els símbols dels circuits dels transistors d'efecte de camp de millora (inclosos tubs de tipus N i tubs de tipus P) i transistors d'efecte de camp d'esgotament (inclosos tubs de tipus N i tubs de tipus P) estan molt a prop. La diferència entre tots dos és que un dels símbols es representa amb una línia discontínua i l'altre amb una línia sòlida. La línia de punts indica un transistor d'efecte de camp de millora i la línia sòlida indica un transistor d'efecte de camp d'esgotament.