Això és un envasatMOSFETsensor infrarojo piroelèctric. El marc rectangular és la finestra de detecció. El pin G és el terminal de terra, el pin D és el drenatge intern del MOSFET i el pin S és la font interna del MOSFET. Al circuit, G està connectat a terra, D està connectat a la font d'alimentació positiva, els senyals infrarojos s'introdueixen des de la finestra i els senyals elèctrics s'emeten des de S.
Porta del judici G
El controlador MOS juga principalment el paper de la forma d'ona i la millora de la conducció: si la forma d'ona del senyal G delMOSFETno és prou pronunciada, provocarà una gran quantitat de pèrdua d'energia durant l'etapa de commutació. El seu efecte secundari és reduir l'eficiència de conversió del circuit. El MOSFET tindrà febre severa i es farà malbé fàcilment per la calor. Hi ha una certa capacitat entre MOSFETGS. , si la capacitat de conducció del senyal G és insuficient, afectarà seriosament el temps de salt de la forma d'ona.
Curtcircuita el pal GS, selecciona el nivell R × 1 del multímetre, connecta el cable de prova negre al pol S i el cable de prova vermell al pol D. La resistència hauria de ser d'uns pocs Ω a més de deu Ω. Si es troba que la resistència d'un determinat pin i els seus dos pins són infinites, i encara ho és després d'intercanviar els cables de prova, es confirma que aquest pin és el pol G, perquè està aïllat dels altres dos pins.
Determineu la font S i el desguàs D
Estableix el multímetre a R × 1k i mesura la resistència entre els tres pins respectivament. Utilitzeu el mètode de prova d'intercanvi per mesurar la resistència dues vegades. El que té un valor de resistència més baix (generalment uns quants milers de Ω a més de deu mil Ω) és la resistència directa. En aquest moment, el cable de prova negre és el pol S i el cable de prova vermell està connectat al pol D. A causa de les diferents condicions de prova, el valor mesurat RDS(on) és superior al valor típic que es proporciona al manual.
SobreMOSFET
El transistor té un canal de tipus N, per la qual cosa s'anomena canal NMOSFET, oNMOS. També existeix un FET MOS de canal P (PMOS), que és un PMOSFET compost per un BACKGATE de tipus N lleugerament dopat i una font i drenatge de tipus P.
Independentment del MOSFET de tipus N o P, el seu principi de funcionament és essencialment el mateix. MOSFET controla el corrent al drenatge del terminal de sortida mitjançant la tensió aplicada a la porta del terminal d'entrada. MOSFET és un dispositiu controlat per tensió. Controla les característiques del dispositiu mitjançant la tensió aplicada a la porta. No provoca l'efecte d'emmagatzematge de càrrega causat pel corrent de base quan s'utilitza un transistor per a la commutació. Per tant, en el canvi d'aplicacions,MOSFEThauria de canviar més ràpid que els transistors.
El FET també rep el seu nom pel fet que la seva entrada (anomenada porta) afecta el corrent que flueix pel transistor projectant un camp elèctric sobre una capa aïllant. De fet, no circula cap corrent per aquest aïllant, de manera que el corrent GATE del tub FET és molt petit.
El FET més comú utilitza una fina capa de diòxid de silici com a aïllant sota el GATE.
Aquest tipus de transistor s'anomena transistor semiconductor d'òxid metàl·lic (MOS) o transistor d'efecte de camp semiconductor d'òxid metàl·lic (MOSFET). Com que els MOSFET són més petits i més eficients, han substituït els transistors bipolars en moltes aplicacions.
Hora de publicació: 10-nov-2023
