MOSFETsón àmpliament utilitzats. Ara s'utilitzen alguns circuits integrats a gran escala MOSFET, la funció bàsica i el transistor BJT, són commutació i amplificació. Bàsicament, el triode BJT es pot utilitzar on es pot utilitzar, i en alguns llocs el rendiment és millor que el triode.
Amplificació de MOSFET
MOSFET i triode BJT, tot i que tots dos dispositius amplificadors de semiconductors, però més avantatges que el triode, com ara una alta resistència d'entrada, la font del senyal gairebé sense corrent, la qual cosa afavoreix l'estabilitat del senyal d'entrada. És un dispositiu ideal com a amplificador d'etapa d'entrada i també té els avantatges d'un baix soroll i una bona estabilitat a la temperatura. Sovint s'utilitza com a preamplificador per a circuits d'amplificació d'àudio. Tanmateix, com que és un dispositiu de corrent controlat per tensió, el corrent de drenatge està controlat per la tensió entre la font de la porta, el coeficient d'amplificació de la transconductància de baixa freqüència generalment no és gran, de manera que la capacitat d'amplificació és pobra.
Efecte de commutació del MOSFET
El MOSFET s'utilitza com a interruptor electrònic, perquè només es basa en la conductivitat del polió, no hi ha un triode BJT a causa del corrent de base i l'efecte d'emmagatzematge de càrrega, de manera que la velocitat de commutació del MOSFET és més ràpida que el triode, com a tub de commutació. s'utilitza sovint per a ocasions d'alta freqüència d'alta corrent, com ara fonts d'alimentació de commutació utilitzades al MOSFET en l'estat d'alta freqüència d'alta corrent del treball. En comparació amb els interruptors de triode BJT, els interruptors MOSFET poden funcionar a voltatges i corrents més petits i són més fàcils d'integrar en hòsties de silici, de manera que s'utilitzen àmpliament en circuits integrats a gran escala.
Quines són les precaucions a l'hora d'utilitzarMOSFET?
Els MOSFET són més delicats que els triodes i es poden danyar fàcilment per un ús inadequat, per la qual cosa s'ha de tenir especial cura en utilitzar-los.
(1) Cal seleccionar el tipus adequat de MOSFET per a diferents ocasions d'ús.
(2) Els MOSFET, especialment els MOSFET de porta aïllada, tenen una alta impedància d'entrada i s'han de fer curt a cada elèctrode quan no s'utilitzen per evitar danys al tub a causa de la càrrega d'inductància de la porta.
(3) La tensió de la font de la porta dels MOSFET d'unió no es pot invertir, però es pot desar en estat de circuit obert.
(4) Per mantenir l'alta impedància d'entrada del MOSFET, el tub s'ha de protegir de la humitat i mantenir-lo sec a l'entorn d'ús.
(5) Els objectes carregats (com ara soldador, instruments de prova, etc.) en contacte amb el MOSFET s'han de posar a terra per evitar danys al tub. Especialment quan es solda MOSFET de porta aïllada, segons l'ordre seqüencial font - porta de soldadura, el millor és soldar després d'apagar-se. La potència del soldador de 15 a 30 W és adequada, el temps de soldadura no ha de superar els 10 segons.
(6) MOSFET de porta aïllada no es pot provar amb un multímetre, només es pot provar amb un provador i només després d'accedir al provador per eliminar el cablejat de curtcircuit dels elèctrodes. Quan s'elimina, cal curtcircuitar els elèctrodes abans de retirar-los per evitar que la porta sobresurt.
(7) Quan s'utilitzaMOSFETamb cables de substrat, els cables de substrat s'han de connectar correctament.
Hora de publicació: 23-abril-2024
