Fes una ullada als MOSFET

Els MOSFET són MOSFET aïllants en circuits integrats. Els MOSFET, com un dels dispositius més bàsics enel semiconductor camp, s'utilitzen àmpliament en circuits a nivell de placa, així com en el disseny d'IC. El drenatge i la font deMOSFET es poden intercanviar i es formen en una porta posterior de tipus P amb una regió de tipus N. En general, les dues fonts són intercanviables, ambdues formant una regió de tipus N a laPorta posterior tipus P. En general, aquestes dues zones són iguals i, fins i tot si aquestes dues seccions estan canviades, el rendiment del dispositiu no es veurà afectat. Per tant, es considera que el dispositiu és simètric.

Principi:

MOSFET utilitza VGS per controlar la quantitat de "càrrega induïda" per canviar la condició del canal conductor format per aquestes "càrregues induïdes" per controlar el corrent de drenatge. Quan es fabriquen MOSFET, apareixen un gran nombre d'ions positius a la capa aïllant mitjançant processos especials, de manera que es poden detectar més càrregues negatives a l'altre costat de la interfície i la regió N de les impureses d'alta permeabilitat està connectada per aquestes càrregues negatives, i es forma el canal conductor, i es genera un corrent de drenatge relativament gran, ID, fins i tot si el VGS és 0. Si es canvia la tensió de la porta, també canvia la quantitat de càrrega induïda al canal i l'amplada. del canal conductor canvia en la mateixa mesura. Si la tensió de la porta canvia, la quantitat de càrrega induïda al canal també canviarà i l'amplada del canal conductor també canviarà, de manera que l'ID de corrent de drenatge canviarà juntament amb la tensió de la porta.

Rol:

1. Es pot aplicar al circuit amplificador. A causa de l'alta impedància d'entrada de l'amplificador MOSFET, la capacitat de l'acoblament pot ser més petita i no es poden utilitzar condensadors electrolítics.

L'alta impedància d'entrada és adequada per a la conversió d'impedància. Sovint s'utilitza per a la conversió d'impedància a l'etapa d'entrada dels amplificadors de diverses etapes.

3, es pot utilitzar com a resistència variable.

4, es pot utilitzar com a interruptor electrònic.

Els MOSFET s'utilitzen ara en una àmplia gamma d'aplicacions, com ara capçals d'alta freqüència en televisors i fonts d'alimentació commutades. Avui en dia, els transistors bipolars ordinaris i MOS es combinen per formar IGBT (transistor bipolar de porta aïllada), que s'utilitza àmpliament en zones d'alta potència, i els circuits integrats MOS tenen la característica de baix consum d'energia, i ara les CPU s'han utilitzat àmpliament en Circuits MOS.