Com un dels dispositius més bàsics en el camp dels semiconductors, MOSFET s'utilitza àmpliament tant en el disseny de circuits integrats com en les aplicacions de circuits a nivell de placa. Llavors, quant saps sobre els diferents paràmetres de MOSFET? Com a especialista en MOSFET de mitjana i baixa tensió,Olukeyt'explicarà detalladament els diferents paràmetres dels MOSFET!
Tensió màxima de resistència a la font de drenatge VDSS
La tensió de la font de drenatge quan el corrent de drenatge que flueix arriba a un valor específic (augmenta bruscament) sota una temperatura específica i un curtcircuit de la font de la porta. La tensió drenatge-font en aquest cas també s'anomena tensió de ruptura d'allau. El VDSS té un coeficient de temperatura positiu. A -50 °C, el VDSS és aproximadament el 90% del que està a 25 °C. A causa de la dotació que sol deixar en la producció normal, la tensió de ruptura d'allau deMOSFETsempre és superior a la tensió nominal nominal.
Recordatori càlid d'Olukey: per garantir la fiabilitat del producte, en les pitjors condicions de treball, es recomana que la tensió de treball no superi el 80 ~ 90% del valor nominal.
Tensió de suport màxima de la font de porta VGSS
Es refereix al valor VGS quan el corrent invers entre la porta i la font comença a augmentar bruscament. Superar aquest valor de tensió provocarà una ruptura dielèctrica de la capa d'òxid de la porta, que és una ruptura destructiva i irreversible.
ID corrent màxim drenatge-font
Es refereix al corrent màxim que es permet passar entre el drenatge i la font quan el transistor d'efecte de camp funciona amb normalitat. El corrent de funcionament del MOSFET no ha de superar l'ID. Aquest paràmetre es reduirà a mesura que augmenta la temperatura de la unió.
Corrent màxim de drenatge de pols IDM
Reflecteix el nivell de corrent de pols que pot gestionar el dispositiu. Aquest paràmetre disminuirà a mesura que augmenta la temperatura de la unió. Si aquest paràmetre és massa petit, el sistema pot estar en risc de trencar-se pel corrent durant les proves OCP.
PD màxima dissipació de potència
Es refereix a la màxima dissipació de potència de la font de drenatge permesa sense deteriorar el rendiment del transistor d'efecte de camp. Quan s'utilitza, el consum d'energia real del transistor d'efecte de camp hauria de ser inferior al del PDSM i deixar un cert marge. Aquest paràmetre generalment disminueix a mesura que augmenta la temperatura de la unió.
Temperatura de funcionament TJ, TSTG i rang de temperatura de l'entorn d'emmagatzematge
Aquests dos paràmetres calibren l'interval de temperatura de la unió que permet l'entorn operatiu i d'emmagatzematge del dispositiu. Aquest rang de temperatura està configurat per complir els requisits mínims de vida útil del dispositiu. Si s'assegura que el dispositiu funciona dins d'aquest rang de temperatura, la seva vida útil s'allargarà molt.
Hora de publicació: 15-12-2023
