El propi MOSFET té molts avantatges, però al mateix temps el MOSFET té una capacitat de sobrecàrrega a curt termini més sensible, especialment en escenaris d'aplicació d'alta freqüència, de manera que en l'ús de l'energiaMOSFET s'ha de desenvolupar per al seu circuit de protecció efectiu per millorar l'estabilitat del dispositiu.
Per dir-ho clarament, la protecció contra sobreintensitat es troba a la sortida de fallades de curtcircuit o sobrecàrrega a la font d'alimentació o manteniment de càrrega, en aquesta etapa de la protecció contra sobreintensitat de la font d'alimentació hi ha diverses maneres, com ara corrent constant, sortida constant tipus d'alimentació, etc., però el desenvolupament d'aquest circuit de protecció contra sobreintensitat no es pot separar del MOSFET, els MOSFET d'alta qualitat poden millorar el paper de la protecció contra sobreintensitat de la font d'alimentació.
Hora de publicació: 27-jul-2024
