El liti com a nou tipus de bateries respectuoses amb el medi ambient, s'ha utilitzat durant molt de temps en els cotxes amb bateries. Desconegut a causa de les característiques de les bateries recarregables de fosfat de ferro de liti, s'ha d'utilitzar el procés de càrrega de la bateria per dur a terme el manteniment per evitar la pèrdua de potència per sobrecàrrega o la sobretemperatura per garantir que la seguretat de la bateria recarregable funcioni. Tanmateix, la protecció contra sobreintensitat és una polarització de tot el procés de càrrega i descàrrega d'estàndards de treball extrems, així que com triar les especificacions del model MOSFET de potència i els programes de disseny adequats per al circuit d'accionament?
Un treball específic, basat en diferents aplicacions, s'aplicaran diversos MOSFET de potència treballant en paral·lel per reduir la resistència en activació i millorar les característiques de conductivitat tèrmica. Tot el funcionament normal, manipuleu el senyal de dades per manipular el MOSFET, els terminals de la bateria de liti P i la tensió de sortida P per a aplicacions operatives. En aquest moment, el MOSFET de potència ha estat en una situació de conducció, la pèrdua de potència només és una pèrdua de conducció, no hi ha pèrdua de commutació de potència, la pèrdua total de potència del MOSFET de potència no és alta, l'augment de temperatura és petit, de manera que el MOSFET de potència pot treballar amb seguretat.
Tanmateix, quan el load genera una fallada de curtcircuit, la capacitat de curtcircuit augmenta sobtadament de diverses desenes d'amperes per al funcionament normal a diversos centenars d'amperes perquè la resistència del circuit no és gran i la bateria recarregable té una gran capacitat de càrrega i la potènciaMOSFET són molt fàcils de destruir en aquest cas. Per tant, si és possible, seleccioneu un MOSFET amb un RDS petit (ON), de manera que menysMOSFET es pot utilitzar en paral·lel. Diversos MOSFET en paral·lel són susceptibles al desequilibri actual. Es necessiten resistències d'empenta separades i idèntiques per als MOSFET paral·lels per evitar fluctuacions entre els MOSFET.
Hora de publicació: 28-jul-2024
