Els MOSFET (transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic-semiconductor) sovint es consideren dispositius totalment controlats. Això es deu al fet que l'estat de funcionament (encès o apagat) del MOSFET està completament controlat per la tensió de la porta (Vgs) i no depèn del corrent de base com en el cas d'un transistor bipolar (BJT).
En un MOSFET, la tensió de la porta Vgs determina si es forma un canal conductor entre la font i el drenatge, així com l'amplada i la conductivitat del canal conductor. Quan Vgs supera la tensió llindar Vt, es forma el canal conductor i el MOSFET entra a l'estat encès; quan Vgs cau per sota de Vt, el canal conductor desapareix i el MOSFET es troba en estat de tall. Aquest control està totalment controlat perquè la tensió de la porta pot controlar de manera independent i precisa l'estat de funcionament del MOSFET sense dependre d'altres paràmetres de corrent o tensió.
En canvi, l'estat de funcionament dels dispositius semicontrolats (per exemple, tiristors) no només es veu afectat per la tensió o corrent de control, sinó també per altres factors (per exemple, la tensió de l'ànode, el corrent, etc.). Com a resultat, els dispositius totalment controlats (per exemple, els MOSFET) solen oferir un millor rendiment en termes de precisió i flexibilitat de control.
En resum, els MOSFET són dispositius totalment controlats l'estat de funcionament dels quals està completament controlat per la tensió de la porta i tenen els avantatges d'alta precisió, alta flexibilitat i baix consum d'energia.
Hora de publicació: 20-set-2024
