MOSFET (Transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic-semiconductor) té tres pols que són:
Porta:G, la porta d'un MOSFET és equivalent a la base d'un transistor bipolar i s'utilitza per controlar la conducció i el tall del MOSFET. En els MOSFET, la tensió de la porta (Vgs) determina si es forma un canal conductor entre la font i el drenatge, així com l'amplada i la conductivitat del canal conductor. La porta està feta de materials com metall, polisilici, etc., i està envoltada per una capa aïllant (normalment diòxid de silici) per evitar que el corrent flueixi directament dins o fora de la porta.
Font:S, la font d'un MOSFET és equivalent a l'emissor d'un transistor bipolar i és on circula el corrent. En els MOSFET de canal N, la font sol estar connectada al terminal negatiu (o terra) de la font d'alimentació, mentre que en els MOSFET de canal P, la font està connectada al terminal positiu de la font d'alimentació. La font és una de les parts clau que formen el canal conductor, que envia electrons (canal N) o forats (canal P) al drenatge quan la tensió de la porta és prou alta.
Desguàs:D, el drenatge d'un MOSFET és equivalent al col·lector d'un transistor bipolar i és on entra el corrent. El drenatge sol estar connectat a la càrrega i actua com a sortida de corrent al circuit. En un MOSFET, el drenatge és l'altre extrem del canal conductor, i quan la tensió de la porta controla la formació d'un canal conductor entre la font i el drenatge, el corrent pot fluir des de la font a través del canal conductor fins al drenatge.
En poques paraules, la porta d'un MOSFET s'utilitza per controlar l'encesa i apagat, la font és on surt el corrent i el drenatge és on entra el corrent. En conjunt, aquests tres pols determinen l'estat de funcionament i el rendiment del MOSFET. .
Hora de publicació: 26-set-2024
