MOSFET, conegut com a transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic-semiconductor, és un dispositiu electrònic molt utilitzat que pertany a un tipus de transistor d'efecte de camp (FET). L'estructura principal deun MOSFETconsisteix en una porta metàl·lica, una capa aïllant d'òxids (normalment diòxid de silici SiO₂) i una capa semiconductora (generalment silici Si). El principi de funcionament és controlar la tensió de la porta per canviar el camp elèctric a la superfície o a l'interior del semiconductor, controlant així el corrent entre la font i el drenatge.
MOSFETes poden classificar en dos tipus principals: canal NMOSFET(NMOS) i canal PMOSFET(PMOS). En NMOS, quan la tensió de la porta és positiva respecte a la font, es formen canals conductors de tipus n a la superfície del semiconductor, permetent que els electrons flueixin de la font al drenatge. A PMOS, quan la tensió de la porta és negativa respecte a la font, es formen canals conductors de tipus p a la superfície del semiconductor, permetent que els forats flueixin des de la font fins al drenatge.
MOSFETtenen molts avantatges, com ara una alta impedància d'entrada, baix soroll, baix consum d'energia i facilitat d'integració, de manera que s'utilitzen àmpliament en circuits analògics, circuits digitals, gestió d'energia, electrònica de potència, sistemes de comunicació i altres camps. En circuits integrats,MOSFETsón les unitats bàsiques que conformen els circuits lògics CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Els circuits CMOS combinen els avantatges de NMOS i PMOS, i es caracteritzen per un baix consum d'energia, alta velocitat i alta integració.
A més,MOSFETes poden classificar en tipus de millora i tipus d'esgotament segons si els seus canals conductors estan preformats. Tipus de milloraMOSFETa la tensió de la porta és zero quan el canal no és conductor, cal aplicar una determinada tensió de porta per formar un canal conductor; mentre que el tipus d'esgotamentMOSFETa la tensió de la porta és zero quan el canal ja és conductor, la tensió de la porta s'utilitza per controlar la conductivitat del canal.
En resum,MOSFETés un transistor d'efecte de camp basat en una estructura semiconductora d'òxid metàl·lic, que regula el corrent entre la font i el drenatge controlant la tensió de la porta, i té una àmplia gamma d'aplicacions i un valor tècnic important.
Hora de publicació: 12-set-2024
