Avui en dia, amb el ràpid desenvolupament de la ciència i la tecnologia, els semiconductors s'utilitzen en cada cop més indústries, en les quals laMOSFET També es considera un dispositiu semiconductor molt comú, el següent pas és entendre quina és la diferència entre les característiques del transistor de cristall de potència bipolar i el MOSFET de potència de sortida.
1, la manera de treballar
MOSFET és el treball necessari per promoure la tensió de funcionament, els diagrames de circuits expliquen relativament simples, promouen la potència dels petits; transistor de cristall de potència és un flux d'energia per promoure el disseny del programa és més complex, per promoure l'especificació de l'elecció de difícil promoure l'especificació posarà en perill la velocitat de commutació total de la font d'alimentació.
2, la velocitat de commutació total de la font d'alimentació
MOSFET afectat per la temperatura és petit, la potència de sortida de commutació de la font d'alimentació pot garantir que més de 150 KHz; El transistor de cristall de potència té un límit de temps d'emmagatzematge de càrrega gratuït molt limitat a la seva velocitat de commutació de la font d'alimentació, però la seva potència de sortida generalment no supera els 50 KHz.
3, Zona de treball segura
MOSFET de potència no té cap base secundària i l'àrea de treball segura és àmplia; El transistor de cristall de potència té una situació de base secundària, que limita l'àrea de treball segura.
4 、 Tensió de treball del requisit de treball del conductor elèctric
PoderMOSFET pertany al tipus d'alta tensió, la tensió de treball dels requisits de conducció és més alta, hi ha un coeficient de temperatura positiu; transistor de cristall de potència, no importa quants diners siguin resistents a la tensió de treball dels requisits de treball, la tensió de treball dels requisits de treball del conductor elèctric és més baixa i té un coeficient de temperatura negatiu.
5, el flux de potència màxim
MOSFET de potència al circuit d'alimentació de commutació del circuit d'alimentació del circuit d'alimentació del circuit d'alimentació com a interruptor d'alimentació, en funcionament i treball estable al mig, el flux de potència màxim és menor; i transistor de cristall de potència en funcionament i treball estable al mig, el flux de potència màxim és més alt.
6, cost del producte
El cost del MOSFET de potència és lleugerament superior; el cost del triode de cristall d'energia és lleugerament inferior.
7, efecte de penetració
Power MOSFET no té cap efecte de penetració; El transistor de cristall de potència té efecte de penetració.
8, Pèrdua de canvi
La pèrdua de commutació MOSFET no és gran; La pèrdua de commutació del transistor de cristall de potència és relativament gran.
A més, la gran majoria dels díodes d'absorció de xocs integrats MOSFET de potència, mentre que el transistor de cristall de potència bipolar gairebé no hi ha díodes d'absorció de xocs integrats. El díode d'absorció de cops MOSFET també pot ser un imant universal per canviar les bobines d'imants dels circuits d'alimentació per donar l'angle del factor de potència. del canal de seguretat del flux d'energia. Tub d'efecte de camp al díode d'absorció de cops en tot el procés d'apagat amb el díode general com l'existència de flux de corrent de recuperació inversa, en aquest moment el díode d'una banda per ocupar el drenatge - pol positiu de la font d'una part substancial augment dels requisits de treball de la tensió de funcionament, en canvi, i el flux de corrent de recuperació inversa.
Hora de publicació: 29-maig-2024
