I. Definició de MOSFET
Com a dispositius d'alta corrent accionats per tensió, MOSFET tenen un gran nombre d'aplicacions en circuits, especialment sistemes d'alimentació. Els díodes corporals MOSFET, també coneguts com a díodes paràsits, no es troben a la litografia de circuits integrats, sinó que es troben en dispositius MOSFET separats, que proporcionen protecció inversa i continuïtat de corrent quan són impulsats per corrents elevats i quan hi ha càrregues inductives.
A causa de la presència d'aquest díode, el dispositiu MOSFET no es pot veure simplement canviant en un circuit, ja que en un circuit de càrrega on s'acaba la càrrega, s'elimina l'alimentació i la bateria s'inverteix cap a l'exterior, que sol ser un resultat no desitjat.
La solució general és afegir un díode a la part posterior per evitar el subministrament d'alimentació inversa, però les característiques del díode determinen la necessitat d'una caiguda de tensió directa de 0,6 ~ 1 V, que es tradueix en una generació de calor greu a corrents elevats mentre provoca un malbaratament. d'energia i reduint l'eficiència energètica global. Un altre mètode és afegir un MOSFET adossat, utilitzant la baixa resistència del MOSFET per aconseguir l'eficiència energètica.
Cal tenir en compte que, després de la conducció, el MOSFET no és direccional, de manera que després de la conducció a pressió, és equivalent a amb un cable, només resistiu, sense caiguda de tensió en estat, generalment saturada en resistència durant uns quants miliohms amiliohms oportuns, i no direccional, permetent el pas de corrent continu i alterna.
II. Característiques dels MOSFET
1, MOSFET és un dispositiu controlat per tensió, no es necessita cap etapa de propulsió per conduir corrents elevats;
2 、 alta resistència d'entrada;
3, ampli rang de freqüència de funcionament, alta velocitat de commutació, baixa pèrdua
4, AC d'alta impedància còmoda, baix soroll.
5,Ús múltiple en paral·lel, augmenta el corrent de sortida
En segon lloc, l'ús de MOSFET en el procés de precaucions
1, per garantir l'ús segur de MOSFET, en el disseny de la línia, no ha de superar la dissipació de potència de la canonada, la tensió màxima de la font de fuites, la tensió de la font de la porta i el corrent i altres valors límit de paràmetres.
2, diversos tipus de MOSFET en ús, calestar estrictament dins d'acord amb l'accés de polarització requerit al circuit, per complir amb la polaritat del desplaçament MOSFET.
3. Quan instal·leu el MOSFET, presteu atenció a la posició d'instal·lació per evitar a prop de l'element de calefacció. Per tal d'evitar la vibració dels accessoris, la carcassa s'ha de ajustar; La flexió dels cables del passador s'ha de dur a terme a una mida superior a l'arrel de 5 mm per evitar que el passador es doblegui i es pugui filtrar.
4, a causa de la impedància d'entrada extremadament alta, els MOSFET s'han de fer curt del pin durant el transport i l'emmagatzematge, i s'han d'empaquetar amb blindatge metàl·lic per evitar la ruptura potencial induïda externa de la porta.
5. La tensió de la porta dels MOSFET d'unió no es pot invertir i es pot emmagatzemar en un estat de circuit obert, però la resistència d'entrada dels MOSFET de porta aïllada és molt alta quan no s'utilitzen, de manera que cada elèctrode s'ha de curtcircuitar. Quan soldeu MOSFET de porta aïllada, seguiu l'ordre de la font de drenatge i soldeu amb apagat.
Per garantir l'ús segur dels MOSFET, cal que entengueu completament les característiques dels MOSFET i les precaucions que s'han de prendre en l'ús del procés, espero que el resum anterior us ajudi.
Hora de publicació: 15-mai-2024
