1. Identificació del pin MOSFET de la unió
La porta de laMOSFET és la base del transistor, i el drenatge i la font són el col·lector i l'emissor deltransistor corresponent. El multímetre a engranatge R × 1k, amb dos bolígrafs per mesurar la resistència cap endavant i cap enrere entre els dos pins. Quan una resistència directa de dos pins = resistència inversa = KΩ, és a dir, els dos pins de la font S i el drenatge D, la resta del pin és la porta G. Si és de 4 pinsunió MOSFET, l'altre pol és l'ús d'un blindatge posat a terra.
2.Determineu la porta
Amb el llapis negre del multímetre per tocar el MOSFET un elèctrode aleatori, el llapis vermell per tocar els altres dos elèctrodes. Si ambdues resistències mesurades són petites, cosa que indica que totes dues són resistències positives, el tub pertany al MOSFET de canal N, el mateix contacte de ploma negre també és la porta.
El procés de producció ha decidit que el drenatge i la font del MOSFET són simètrics i es poden intercanviar entre ells i no afectaran l'ús del circuit, el circuit també és normal en aquest moment, de manera que no cal anar-hi. a una distinció excessiva. La resistència entre el drenatge i la font és d'uns pocs milers d'ohms. No es pot utilitzar aquest mètode per determinar la porta del tipus de porta aïllada MOSFET. Com que la resistència de l'entrada d'aquest MOSFET és extremadament alta i la capacitat interpolar entre la porta i la font és molt petita, la mesura de tan sols una petita quantitat de càrrega es pot formar a la part superior de la interpolar. capacitat de la tensió extremadament alta, el MOSFET serà molt fàcil de danyar.
3. Estimació de la capacitat d'amplificació dels MOSFET
Quan el multímetre està configurat a R × 100, utilitzeu el llapis vermell per connectar la font S i el llapis negre per connectar el drenatge D, que és com afegir una tensió de 1,5 V al MOSFET. En aquest moment, l'agulla indica el valor de la resistència entre el pal DS. En aquest moment amb un dit per pessigar la porta G, la tensió induïda del cos com a senyal d'entrada a la porta. A causa del paper de l'amplificació MOSFET, ID i UDS canviaran, el que significa que la resistència entre el pol DS ha canviat, podem observar que l'agulla té una gran amplitud de swing. Si la mà pessiga la porta, el balanceig de l'agulla és molt petit, és a dir, la capacitat d'amplificació del MOSFET és relativament feble; si l'agulla no té la més mínima acció, indicant que el MOSFET s'ha fet malbé.
Hora de publicació: 18-jul-2024
