El principi de funcionament del MOSFET tipus N, tipus P és el mateix, MOSFET s'afegeix principalment al costat d'entrada de la tensió de la porta per controlar amb èxit el costat de sortida del corrent de drenatge, MOSFET és un dispositiu controlat per tensió, mitjançant la tensió afegit. a la porta per controlar les característiques del dispositiu, a diferència del triode per fer temps de commutació a causa del corrent base causat per l'efecte d'emmagatzematge de càrrega, en aplicacions de commutació, MOSFET en aplicacions de commutació,MOSFET La velocitat de commutació és més ràpida que la del triode.
A la font d'alimentació de commutació, circuit de drenatge obert MOSFET d'ús habitual, el drenatge està connectat a la càrrega tal com és, anomenat drenatge obert, circuit de drenatge obert, la càrrega està connectada a la tensió alta, es pot encendre, apagar el El corrent de càrrega, és el dispositiu de commutació analògic ideal, que és el principi del MOSFET per fer dispositius de commutació, el MOSFET per fer commutació en forma de més circuits.
Pel que fa a les aplicacions d'alimentació de commutació, aquesta aplicació requereix MOSFET per conduir periòdicament, apagar, com ara la font d'alimentació DC-DC que s'utilitza habitualment al convertidor buck bàsic, es basa en dos MOSFET per realitzar la funció de commutació, aquests interruptors alternativament a l'inductor per emmagatzemar energia, alliberar l'energia a la càrrega, sovint trien centenars de kHz o fins i tot més d'1 MHz, principalment perquè com més gran sigui la freqüència, més petits són els components magnètics. Durant el funcionament normal, el MOSFET és equivalent a un conductor, per exemple, MOSFET d'alta potència, MOSFET de petit voltatge, circuits, font d'alimentació és la pèrdua de conducció mínima del MOS.
Paràmetres MOSFET PDF, els fabricants de MOSFET han adoptat amb èxit el paràmetre RDS (ON) per definir la impedància d'estat, per a aplicacions de commutació, RDS (ON) és la característica més important del dispositiu; Els fulls de dades defineixen RDS (ON), la tensió de la porta (o la unitat) VGS i el corrent que flueix a través de l'interruptor estan relacionats, per a una unitat de porta adequada, RDS (ON) és un paràmetre relativament estàtic; Els MOSFET que han estat en conducció són propensos a la generació de calor, i l'augment lent de les temperatures de la unió pot provocar un augment de RDS (ON);MOSFET Els fulls de dades especifiquen el paràmetre d'impedància tèrmica, que es defineix com la capacitat de la unió semiconductora del paquet MOSFET per dissipar la calor, i RθJC es defineix simplement com la impedància tèrmica d'unió a caixa.
1, la freqüència és massa alta, de vegades perseguint excessivament el volum, conduirà directament a una alta freqüència, MOSFET augmenta la pèrdua, com més gran sigui la calor, no feu un bon treball de disseny adequat de dissipació de calor, corrent alt, el nominal valor actual del MOSFET, la necessitat d'una bona dissipació de calor per poder aconseguir; ID és inferior al corrent màxim, pot ser una calor greu, la necessitat de dissipadors de calor auxiliars adequats.
2, errors de selecció de MOSFET i errors en el judici de potència, la resistència interna del MOSFET no es té en compte del tot, conduirà directament a una major impedància de commutació quan es tracten problemes de calefacció MOSFET.
3, a causa de problemes de disseny de circuits, que donen lloc a la calor, de manera que el MOSFET funcioni en un estat de funcionament lineal, no en l'estat de commutació, que és una causa directa de l'escalfament del MOSFET, per exemple, la commutació N-MOS, el G- La tensió de nivell ha de ser més alta que la font d'alimentació en uns quants V, per tal de poder conduir completament, el P-MOS és diferent; en absència d'una obertura totalment, la caiguda de tensió és massa gran, cosa que donarà lloc a un consum d'energia, la impedància de CC equivalent és més gran, la caiguda de tensió també augmentarà, U * també augmentarà, la pèrdua provocarà calor.
Hora de publicació: 01-agost-2024
