Com determinar nMOSFET i pMOSFET

Com determinar nMOSFET i pMOSFET

Hora de publicació: 29-set-2024

L'avaluació dels NMOSFET i PMOSFET es pot fer de diverses maneres:

Com determinar nMOSFET i pMOSFET

I. Segons el sentit del flux del corrent

NMOSFETQuan el corrent flueix de la font (S) al drenatge (D), el MOSFET és un NMOSFET En un NMOSFET, la font i el drenatge són semiconductors de tipus n i la porta és un semiconductor de tipus p. Quan la tensió de la porta és positiva respecte a la font, es forma un canal conductor de tipus n a la superfície del semiconductor, que permet que els electrons flueixin de la font al drenatge.

PMOSFETUn MOSFET és un PMOSFET quan el corrent flueix des del drenatge (D) a la font (S) En un PMOSFET, tant la font com el drenatge són semiconductors de tipus p i la porta és un semiconductor de tipus n. Quan la tensió de la porta és negativa respecte a la font, es forma un canal conductor de tipus p a la superfície del semiconductor, que permet que els forats flueixin de la font al desguàs (tingueu en compte que a la descripció convencional encara diem que el corrent va de D a S, però en realitat és la direcció en què es mouen els forats).

*** Traduït amb www.DeepL.com/Translator (versió gratuïta) ***

II. Segons la direcció del díode paràsit

NMOSFETQuan el díode paràsit apunta de la font (S) al drenatge (D), és un NMOSFET. El díode paràsit és una estructura intrínseca dins del MOSFET, i la seva direcció ens pot ajudar a determinar el tipus de MOSFET.

PMOSFETEl díode paràsit és un PMOSFET quan apunta des del drenatge (D) a la font (S).

III. Segons la relació entre la tensió de l'elèctrode de control i la conductivitat elèctrica

NMOSFETUn NMOSFET condueix quan la tensió de la porta és positiva respecte a la tensió de la font. Això es deu al fet que una tensió de porta positiva crea canals conductors de tipus n a la superfície del semiconductor, permetent que els electrons flueixin.

PMOSFETUn PMOSFET condueix quan la tensió de la porta és negativa respecte a la tensió de la font. Una tensió de porta negativa crea un canal conductor de tipus p a la superfície del semiconductor, permetent que els forats flueixin (o el corrent flueixi de D a S).

IV. Altres mètodes auxiliars de judici

Veure les marques del dispositiu:En alguns MOSFET, pot haver-hi un marcatge o un número de model que n'identifiqui el tipus i, consultant la fitxa tècnica corresponent, podeu confirmar si és un NMOSFET o un PMOSFET.

Ús d'instruments de prova:Mesurar la resistència del pin d'un MOSFET o la seva conducció a diferents voltatges mitjançant instruments de prova com ara multímetres també pot ajudar a determinar-ne el tipus.

En resum, el judici dels NMOSFET i PMOSFET es pot dur a terme principalment mitjançant la direcció del flux de corrent, la direcció del díode paràsit, la relació entre la tensió de l'elèctrode de control i la conductivitat, així com la comprovació del marcatge del dispositiu i l'ús d'instruments de prova. En aplicacions pràctiques, es pot seleccionar el mètode de judici adequat segons la situació específica.