Com funcionen els MOSFET?

1, MOSFETintroducció

FieldEffect Transistor abreviatura (FET)) títol MOSFET. per un nombre reduït de portadors per participar en la conducció de calor, també conegut com a transistor multipol. Pertany al mecanisme semisuperconductor de tipus mastering de tensió. La resistència de sortida és alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), baix soroll, baix consum d'energia, rang estàtic, fàcil d'integrar, sense segon fenomen d'avaria, la tasca d'assegurança del mar ample i altres avantatges, ara ha canviat el transistor bipolar i el transistor d'unió de potència dels col·laboradors forts.

2, característiques del MOSFET

1, MOSFET és un dispositiu de control de tensió, a través de l'ID de control VGS (tensió de la font de la porta) (drenatge DC);

2, MOSFETEl pol de CC de sortida és petit, de manera que la resistència de sortida és gran.

3, és l'aplicació d'un nombre reduït de portadors per conduir la calor, de manera que té una millor mesura d'estabilitat;

4, consisteix en que el camí de reducció del coeficient de reducció elèctrica és més petit que el triode consisteix en el camí de reducció del coeficient de reducció;

5, MOSFET capacitat anti-irradiació;

6, a causa de l'absència d'una activitat defectuosa de la dispersió de l'oligon causada per partícules de soroll disperses, de manera que el soroll és baix.

3, principi de tasca MOSFET

MOSFETprincipi de funcionament en una frase, és "drenatge - font entre l'ID que flueix a través del canal de la porta i el canal entre la unió pn formada per la polarització inversa de l'ID mestre de tensió de la porta", per ser exactes, l'ID flueix per l'amplada. del camí, és a dir, l'àrea de la secció transversal del canal, és el canvi en la polarització inversa de la unió pn, que produeix una capa d'esgotament El motiu del control de variació estès. En el mar no saturat de VGS = 0, ja que l'expansió de la capa de transició no és molt gran, segons l'addició del camp magnètic de VDS entre la font de drenatge, alguns electrons del mar font són allunyats pel mar. drenatge, és a dir, hi ha una activitat DC ID des del drenatge fins a la font. La capa moderada ampliada des de la porta fins al desguàs fa que tot el cos del canal formi un tipus de bloqueig, ID complet. Anomena aquest formulari com a pessic. Simbolitzant la capa de transició al canal d'una obstrucció sencera, en lloc de tallar l'alimentació de CC.

Com que no hi ha un moviment lliure d'electrons i forats a la capa de transició, té propietats gairebé aïllants en la forma ideal i és difícil que flueixi el corrent general. Però llavors el camp elèctric entre el drenatge - font, de fet, les dues capes de transició contacten el drenatge i el pol de la porta prop de la part inferior, perquè el camp elèctric de deriva atrau els electrons d'alta velocitat a través de la capa de transició. La intensitat del camp de deriva és gairebé constant produint la plenitud de l'escena ID.

El circuit utilitza una combinació d'un MOSFET de canal P millorat i un MOSFET de canal N millorat. Quan l'entrada és baixa, el MOSFET de canal P condueix i la sortida es connecta al terminal positiu de la font d'alimentació. Quan l'entrada és alta, el MOSFET de canal N condueix i la sortida es connecta a la terra de la font d'alimentació. En aquest circuit, el MOSFET de canal P i el MOSFET de canal N funcionen sempre en estats oposats, amb les seves entrades i sortides de fase invertides.