Anàlisi dels MOSFET de millora i esgotament

D-FET està en el biaix de la porta 0 quan l'existència de canal, pot conduir el FET; E-FET està en el biaix de la porta 0 quan no hi ha canal, no pot conduir el FET. aquests dos tipus de FET tenen característiques i usos propis. En general, el FET millorat en circuits d'alta velocitat i baixa potència és molt valuós; i aquest dispositiu funciona, és la polaritat del biaix de la porta voaigua i desguàs tensió del mateix, és més convenient en el disseny del circuit.

L'anomenat millorat significa: quan el tub VGS = 0 és un estat de tall, més el VGS correcte, la majoria dels portadors se senten atrets per la porta, "millorant" així els portadors de la regió, formant un canal conductor. El MOSFET millorat de canal n és bàsicament una topologia simètrica esquerra-dreta, que és el semiconductor de tipus P en la generació d'una capa d'aïllament de pel·lícula de SiO2. Genera una capa aïllant de pel·lícula de SiO2 al semiconductor de tipus P i després difon dues regions de tipus N altament dopades mitjançantfotolitografia, i condueix els elèctrodes de la regió de tipus N, un per al drenatge D i un altre per a la font S. A la capa aïllant entre la font i el drenatge es revestirà una capa de metall d'alumini com a porta G. Quan VGS = 0 V , hi ha força díodes amb díodes adossats entre el drenatge i la font i la tensió entre D i S no forma un corrent entre D i S. El corrent entre D i S no és format per la tensió aplicada.

Quan s'afegeix la tensió de la porta, si 0 < VGS < VGS (th), a través del camp elèctric capacitiu format entre la porta i el substrat, els forats de polions del semiconductor de tipus P a prop de la part inferior de la porta es repel·len cap avall, i apareix una fina capa d'esgotament d'ions negatius; al mateix temps, atraurà els oligons que hi ha per traslladar-se a la capa superficial, però el nombre és limitat i insuficient per formar un canal conductor que comuniqui el desguàs i la font, per la qual cosa encara és insuficient per a la formació del corrent de drenatge ID. augment encara més VGS, quan VGS > VGS (th) (VGS (th) s'anomena tensió d'encesa), perquè en aquest moment la tensió de la porta ha estat relativament forta, a la capa de superfície semiconductora de tipus P a prop de la part inferior de la porta per sota de la reunió de més electrons, podeu formar una rasa, el desguàs i la font de comunicació. Si s'afegeix la tensió de la font de drenatge en aquest moment, el corrent de drenatge es pot formar ID. electrons al canal conductor format per sota de la porta, a causa del forat portador amb la polaritat del semiconductor de tipus P és oposat, per la qual cosa s'anomena capa antitipus. A mesura que VGS segueixi augmentant, l'ID continuarà augmentant. ID = 0 a VGS = 0V, i el corrent de drenatge només es produeix després de VGS> VGS(th), per tant, aquest tipus de MOSFET s'anomena MOSFET de millora.

La relació de control de VGS sobre el corrent de drenatge es pot descriure mitjançant la corba iD = f(VGS(th))|VDS=const, que s'anomena corba característica de transferència, i la magnitud del pendent de la corba característica de transferència, gm, reflecteix el control del corrent de drenatge per la tensió de la font de la porta. la magnitud de gm és mA/V, de manera que gm també s'anomena transconductància.