WST8205 MOSFET WINSOK de doble canal N de 20 V 5,8 A SOT-23-6L

productes

WST8205 MOSFET WINSOK de doble canal N de 20 V 5,8 A SOT-23-6L

breu descripció:


  • Número de model:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID:5.8A
  • Canal:Doble canal N
  • Paquet:SOT-23-6L
  • Producte estiuenc:El MOSFET WST8205 funciona a 20 volts, manté 5,8 amperes de corrent i té una resistència de 24 miliohms. El MOSFET consta d'un canal N dual i està empaquetat en SOT-23-6L.
  • Aplicacions:Electrònica d'automoció, llums LED, àudio, productes digitals, petits electrodomèstics, electrònica de consum, taulers de protecció.
  • Detall del producte

    Aplicació

    Etiquetes de producte

    Descripció general

    El WST8205 és un MOSFET N-Ch de trinxera d'alt rendiment amb una densitat de cel·les extremadament alta, que proporciona una excel·lent càrrega RDSON i de porta per a la majoria de les aplicacions de commutació de càrrega i commutació de potència petita. El WST8205 compleix els requisits de RoHS i Green Product amb una aprovació de fiabilitat funcional completa.

    Característiques

    La nostra tecnologia avançada incorpora funcions innovadores que diferencien aquest dispositiu dels altres del mercat. Amb trinxeres d'alta densitat de cèl·lules, aquesta tecnologia permet una major integració dels components, donant lloc a un millor rendiment i eficiència. Un avantatge notable d'aquest dispositiu és la seva càrrega de porta extremadament baixa. Com a resultat, requereix una energia mínima per canviar entre els seus estats d'encesa i apagat, el que resulta en un consum d'energia reduït i una eficiència global millorada. Aquesta característica de càrrega baixa de la porta la converteix en una opció ideal per a aplicacions que demanen commutació d'alta velocitat i control precís. A més, el nostre dispositiu destaca per reduir els efectes Cdv/dt. Cdv/dt, o la velocitat de canvi de la tensió del drenatge a la font al llarg del temps, pot causar efectes no desitjats com ara pics de tensió i interferències electromagnètiques. Mitjançant la minimització eficaç d'aquests efectes, el nostre dispositiu garanteix un funcionament fiable i estable, fins i tot en entorns exigents i dinàmics. A més de les seves habilitats tècniques, aquest dispositiu també és respectuós amb el medi ambient. Està dissenyat tenint en compte la sostenibilitat, tenint en compte factors com l'eficiència energètica i la longevitat. En funcionar amb la màxima eficiència energètica, aquest dispositiu minimitza la seva petjada de carboni i contribueix a un futur més verd. En resum, el nostre dispositiu combina tecnologia avançada amb trinxeres d'alta densitat de cèl·lules, càrrega de porta extremadament baixa i una excel·lent reducció dels efectes Cdv/dt. Amb el seu disseny respectuós amb el medi ambient, no només ofereix un rendiment i una eficiència superiors, sinó que també s'alinea amb la creixent necessitat de solucions sostenibles al món actual.

    Aplicacions

    Punt de càrrega síncron d'alta freqüència Petita commutació de potència per a xarxes MB/NB/UMPC/VGA Sistema d'alimentació DC-DC, electrònica per a automòbils, llums LED, àudio, productes digitals, petits electrodomèstics, electrònica de consum, taulers de protecció.

    el número de material corresponent

    AOS AO6804A, NXP PMDT290UNE, PANJIT PJS6816, Sinopower SM2630DSC, dintek DTS5440, DTS8205, DTS5440, DTS8205, RU8205C6.

    Paràmetres importants

    Símbol Paràmetre Valoració Unitats
    VDS Tensió drenatge-font 20 V
    VGS Tensió porta-font ±12 V
    ID@Tc=25℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Corrent de drenatge polsat 2 16 A
    PD@TA=25℃ Dissipació total de potència 3 2.1 W
    TSTG Interval de temperatura d'emmagatzematge -55 a 150
    TJ Interval de temperatura de la unió de funcionament -55 a 150
    Símbol Paràmetre Condicions Min. Tip. Màx. Unitat
    BVDSS Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficient de temperatura BVDSS Referència a 25 ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(ON) Drenatge estàtic-font-resistència 2 VGS=4,5V, ID=5,5A --- 24 28
           
        VGS=2,5V, ID=3,5A --- 30 45  
    VGS(th) Tensió de llindar de porta VGS=VDS, ID =250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS (th) Coeficient de temperatura VGS(th).   --- -2,33 --- mV/℃
    IDSS Corrent de fuga drenatge-font VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corrent de fuga de la porta-font VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductància directa VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Resistència de la porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Càrrega total de la porta (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Càrrega porta-font --- 1.4 2.0
    Qgd Càrrega de drenatge de la porta --- 2.2 3.2
    Td (activat) Temps de retard d'encesa VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Temps de pujada --- 34 63
    Td (desactivat) Temps de retard d'apagada --- 22 46
    Tf Temps de tardor --- 9.0 18.4
    Ciss Capacitat d'entrada VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Capacitat de sortida --- 69 98
    Crs Capacitat de transferència inversa --- 61 88

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho