WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

productes

WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

Descripció breu:


  • Número de model:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6 mΩ
  • ID:340A
  • Canal:Canal N
  • Paquet:TOLL-8L
  • Producte estiuenc:La tensió del MOSFET WSM340N10G és de 100 V, el corrent és de 340 A, la resistència és de 1,6 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és TOLL-8L.
  • Aplicacions:Equips mèdics, drons, fonts d'alimentació PD, fonts d'alimentació LED, equips industrials, etc.
  • Detall del producte

    Aplicació

    Etiquetes de producte

    Descripció general

    El WSM340N10G és el MOSFET N-Ch de trinxera de més alt rendiment amb una densitat cel·lular extremadament alta, que ofereix una excel·lent càrrega RDSON i de porta per a la majoria de les aplicacions de convertidor buck síncron.El WSM340N10G compleix els requisits de RoHS i Producte Verd, 100% EAS garantit amb una fiabilitat de funció completa aprovada.

    Característiques

    Tecnologia avançada de trinxera d'alta densitat de cèl·lules, càrrega de porta súper baixa, excel·lent disminució de l'efecte CdV/dt, 100% garantit EAS, dispositiu verd disponible.

    Aplicacions

    Rectificació síncrona, convertidor DC/DC, interruptor de càrrega, equips mèdics, drons, fonts d'alimentació PD, fonts d'alimentació LED, equips industrials, etc.

    Paràmetres importants

    Valoracions màximes absolutes

    Símbol Paràmetre Valoració Unitats
    VDS Tensió drenatge-font 100 V
    VGS Tensió porta-font ±20 V
    ID@TC=25℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V 230 A
    IDM Corrent de drenatge polsat..TC=25°C 1150 A
    EAS Energia d'allau, pols únic, L=0,5 mH 1800 mJ
    IAS Corrent d'allau, pols únic, L=0,5 mH 120 A
    PD@TC=25℃ Dissipació total de potència 375 W
    PD@TC=100℃ Dissipació total de potència 187 W
    TSTG Interval de temperatura d'emmagatzematge -55 a 175
    TJ Interval de temperatura de la unió de funcionament 175

    Característiques elèctriques (TJ = 25 ℃, tret que s'indiqui el contrari)

    Símbol Paràmetre Condicions Min. Tipus. Màx. Unitat
    BVDSS Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficient de temperatura BVDSS Referència a 25 ℃, ID=1mA --- 0,096 --- V/℃
    RDS(ON) Drenatge estàtic-font-resistència VGS=10V,ID=50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) Tensió de llindar de porta VGS=VDS, ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS (th) Coeficient de temperatura VGS(th). --- -5,5 --- mV/℃
    IDSS Corrent de fuga drenatge-font VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Corrent de fuga de la porta-font VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Resistència de la porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Càrrega total de la porta (10 V) VDS=50V, VGS=10V, ID=50A --- 260 --- nC
    Qgs Càrrega porta-font --- 80 ---
    Qgd Càrrega de drenatge de la porta --- 60 ---
    Td (activat) Temps de retard d'encesa VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Temps de pujada --- 50 ---
    Td (desactivat) Temps de retard d'apagada --- 228 ---
    Tf Temps de tardor --- 322 ---
    Ciss Capacitat d'entrada VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz --- 13900 --- pF
    Coss Capacitat de sortida --- 6160 ---
    Crs Capacitat de transferència inversa --- 220 ---

  • Anterior:
  • Pròxim:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho