WSM340N10G MOSFET WINSOK de canal N 100V 340A TOLL-8L

WSM340N10G N-canal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Imatge destacada

breu descripció:

Número de model:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Canal:Canal N

Paquet:TOLL-8L

Producte estiuenc:La tensió del MOSFET WSM340N10G és de 100 V, el corrent és de 340 A, la resistència és de 1,6 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és TOLL-8L.

Aplicacions:Equipament mèdic, drons, fonts d'alimentació PD, fonts d'alimentació LED, equips industrials, etc.

Envieu-nos un correu electrònic PDF

Detall del producte

Aplicació

Etiquetes de producte

Descripció general

El WSM340N10G és el MOSFET N-Ch de trinxera de més alt rendiment amb una densitat cel·lular extremadament alta, que ofereix una excel·lent càrrega RDSON i de porta per a la majoria de les aplicacions de convertidor buck síncron. El WSM340N10G compleix els requisits de RoHS i Producte Verd, 100% EAS garantit amb una fiabilitat de funció completa aprovada.

Característiques

Tecnologia avançada de trinxeres d'alta densitat de cèl·lules, càrrega de porta súper baixa, excel·lent disminució de l'efecte CdV/dt, 100% garantit EAS, dispositiu verd disponible.

Aplicacions

Rectificació síncrona, convertidor DC/DC, interruptor de càrrega, equips mèdics, drons, fonts d'alimentació PD, fonts d'alimentació LED, equips industrials, etc.

Paràmetres importants

Valoracions màximes absolutes

Símbol	Paràmetre	Valoració	Unitats
VDS	Tensió drenatge-font	100	V
VGS	Tensió porta-font	±20	V
ID@TC=25℃	Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V	230	A
IDM	Corrent de drenatge polsat..TC=25°C	1150	A
EAS	Energia d'allau, pols únic, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Corrent d'allau, pols únic, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Dissipació total de potència	375	W
PD@TC=100℃	Dissipació total de potència	187	W
TSTG	Interval de temperatura d'emmagatzematge	-55 a 175	℃
TJ	Interval de temperatura de la unió de funcionament	175	℃

Característiques elèctriques (TJ = 25 ℃, tret que s'indiqui el contrari)

Símbol	Paràmetre	Condicions	Min.	Tip.	Màx.	Unitat
BVDSS	Tensió de ruptura drenatge-font	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficient de temperatura BVDSS	Referència a 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Drenatge estàtic-font-resistència	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Tensió de llindar de porta	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS (th)	Coeficient de temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Corrent de fuga drenatge-font	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrent de fuga drenatge-font	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrent de fuga de la porta-font	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistència de la porta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Càrrega total de la porta (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Càrrega porta-font		---	80	---
Qgd	Càrrega de drenatge de la porta		---	60	---
Td (activat)	Temps de retard d'encesa	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Temps de pujada		---	50	---
Td (desactivat)	Temps de retard d'apagada		---	228	---
Tf	Temps de tardor		---	322	---
Ciss	Capacitat d'entrada	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Capacitat de sortida		---	6160	---
Crs	Capacitat de transferència inversa		---	220	---