WSD80130DN56 MOSFET WINSOK de canal N 80V 130A DFN5X6-8
Visió general del producte WINSOK MOSFET
La tensió del MOSFET WSD80130DN56 és de 80 V, el corrent és de 130 A, la resistència és de 2,7 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.
Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, motors MOSFET, MOSFET mèdic, eines elèctriques MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET correspon a altres números de material de marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Paràmetres MOSFET
| Símbol | Paràmetre | Valoració | Unitats |
| VDS | Tensió drenatge-font | 80 | V |
| VGS | Porta-Source Tensió | ±20 | V |
| TJ | Temperatura màxima d'unió | 150 | °C |
| ID | Interval de temperatura d'emmagatzematge | -55 a 150 | °C |
| ID | Corrent de drenatge continu, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 130 | A |
| Corrent de drenatge continu, VGS= 10 V, TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Corrent de drenatge polsat, TC= 25 °C | 400 | A |
| PD | Màxima dissipació de potència, TC= 25 °C | 200 | W |
| RqJC | Resistència tèrmica-unió a caixa | 1.25 | °C |
| Símbol | Paràmetre | Condicions | Min. | Tip. | Màx. | Unitat |
| BVDSS | Tensió de ruptura drenatge-font | VGS=0V, ID= 250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatura | Referència al 25℃, joD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(th) | Tensió de llindar de porta | VGS=VDS, joD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficient de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrent de fuga drenatge-font | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrent de fuga de la porta-font | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Càrrega total de la porta (10 V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Càrrega porta-font | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Càrrega de drenatge de la porta | --- | 10.4 | --- | ||
| Td (activat) | Temps de retard d'encesa | VDD=30V, VGS=10 V, RG=2,5Ω, joD=2A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de pujada | --- | 10 | --- | ||
| Td (desactivat) | Temps de retard d'apagada | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Temps de tardor | --- | 12 | --- | ||
| Ciss | Capacitat d'entrada | VDS=25 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Coss | Capacitat de sortida | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Capacitat de transferència inversa | --- | 20 | --- |
