WSD4076DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 76A DFN5X6-8

productes

WSD4076DN56 MOSFET WINSOK de canal N 40V 76A DFN5X6-8

breu descripció:

Número de peça:WSD4076DN56

BVDSS:40V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Canal:Canal N

Paquet:DFN5X6-8


Detall del producte

Aplicació

Etiquetes de producte

Visió general del producte WINSOK MOSFET

La tensió del MOSFET WSD4076DN56 és de 40 V, el corrent és de 76 A, la resistència és de 6,9 ​​mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.

Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET

Petits electrodomèstics MOSFET, electrodomèstics de mà MOSFET, motors MOSFET.

WINSOK MOSFET correspon a altres números de material de marca

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

MOSFET POTENS Semiconductor PDC496X.

Paràmetres MOSFET

Símbol

Paràmetre

Valoració

Unitats

VDS

Tensió drenatge-font

40

V

VGS

Porta-Source Tensió

±20

V

ID@TC=25

Corrent de drenatge continu, VGS@10V

76

A

ID@TC=100

Corrent de drenatge continu, VGS@10V

33

A

IDM

Corrent de drenatge polsata

125

A

EAS

Energia d'allau de pols únicb

31

mJ

IAS

Corrent d'allau

31

A

PD@Ta=25

Dissipació total de potència

1.7

W

TSTG

Interval de temperatura d'emmagatzematge

-55 a 150

TJ

Interval de temperatura de la unió de funcionament

-55 a 150

 

Símbol

Paràmetre

Condicions

Min.

Tip.

Màx.

Unitat

BVDSS

Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID= 250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficient de temperatura Referència al 25, joD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Drenatge estàtic-font-resistència2 VGS=10V, ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Drenatge estàtic-font-resistència2 VGS=4,5 V, ID= 10A

---

10

15

VGS(th)

Tensió de llindar de porta VGS=VDS, joD= 250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS (th)Coeficient de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrent de fuga drenatge-font VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Corrent de fuga de la porta-font VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductància directa VDS=5V, ID= 20A

---

18

---

S

Rg

Resistència de la porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Càrrega total de la porta (10 V) VDS=20V, VGS=4,5 V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Càrrega porta-font

---

3.0

---

Qgd

Càrrega de drenatge de la porta

---

1.2

---

Td (activat)

Temps de retard d'encesa VDD=15V, VGEN=10 V, RG=3,3Ω, joD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Temps de pujada

---

5.6

---

Td (desactivat)

Temps de retard d'apagada

---

20

---

Tf

Temps de tardor

---

11

---

Ciss

Capacitat d'entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Capacitat de sortida

---

185

---

Crss

Capacitat de transferència inversa

---

38

---


  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho