WSD40190DN56G MOSFET WINSOK de canal N 40V 190A DFN5X6-8
Visió general del producte WINSOK MOSFET
La tensió del MOSFET WSD40120DN56G és de 40 V, el corrent és de 120 A, la resistència és de 1,4 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.
Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET
Cigarrets electrònics MOSFET, MOSFET de càrrega sense fils, drons MOSFET, MOSFET d'atenció mèdica, carregadors de cotxes MOSFET, controladors MOSFET, productes digitals MOSFET, petits electrodomèstics MOSFET, MOSFET d'electrònica de consum.
WINSOK MOSFET correspon a altres números de material de marca
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Paràmetres MOSFET
| Símbol | Paràmetre | Valoració | Unitats |
| VDS | Tensió drenatge-font | 40 | V |
| VGS | Porta-Source Tensió | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrent de drenatge continu, VGS@10V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrent de drenatge continu, VGS@10V1 | 82 | A |
| IDM | Corrent de drenatge polsat2 | 400 | A |
| EAS | Energia d'allau de pols únic3 | 400 | mJ |
| IAS | Corrent d'allau | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipació total de potència4 | 125 | W |
| TSTG | Interval de temperatura d'emmagatzematge | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatura de la unió de funcionament | -55 a 150 | ℃ |
| Símbol | Paràmetre | Condicions | Min. | Tip. | Màx. | Unitat |
| BVDSS | Tensió de ruptura drenatge-font | VGS=0V, ID= 250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatura | Referència al 25℃, joD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=10V, ID= 20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=4,5 V, ID= 20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | Tensió de llindar de porta | VGS=VDS, joD= 250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficient de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrent de fuga drenatge-font | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrent de fuga de la porta-font | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductància directa | VDS=5V, ID= 20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Resistència de la porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Càrrega total de la porta (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID= 20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Càrrega porta-font | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Càrrega de drenatge de la porta | --- | 18.5 | --- | ||
| Td (activat) | Temps de retard d'encesa | VDD=15V, VGEN=10 V, RG=3,3Ω, joD=20A, RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Temps de pujada | --- | 9 | --- | ||
| Td (desactivat) | Temps de retard d'apagada | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | Temps de tardor | --- | 32 | --- | ||
| Ciss | Capacitat d'entrada | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Coss | Capacitat de sortida | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | Capacitat de transferència inversa | --- | 82 | --- |
