WSD30350DN56G MOSFET WINSOK de canal N 30V 350A DFN5X6-8

productes

WSD30350DN56G MOSFET WINSOK de canal N 30V 350A DFN5X6-8

breu descripció:

Número de peça:WSD30350DN56G

BVDSS:30V

ID:350A

RDSON:0,48 mΩ 

Canal:Canal N

Paquet:DFN5X6-8


Detall del producte

Aplicació

Etiquetes de producte

Visió general del producte WINSOK MOSFET

La tensió del MOSFET WSD30350DN56G és de 30 V, el corrent és de 350 A, la resistència és de 1,8 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.

Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET

Cigarrets electrònics MOSFET, MOSFET de càrrega sense fils, drons MOSFET, MOSFET d'atenció mèdica, carregadors de cotxes MOSFET, controladors MOSFET, productes digitals MOSFET, petits electrodomèstics MOSFET, MOSFET d'electrònica de consum.

Paràmetres MOSFET

Símbol

Paràmetre

Valoració

Unitats

VDS

Tensió drenatge-font

30

V

VGS

Porta-Source Tensió

±20

V

ID@TC=25

Corrent de drenatge continuSilicon Limited1,7

350

A

ID@TC=70

Corrent de drenatge continu (Silicon Limited1,7

247

A

IDM

Corrent de drenatge polsat2

600

A

EAS

Energia d'allau de pols únic3

1800

mJ

IAS

Corrent d'allau

100

A

PD@TC=25

Dissipació total de potència4

104

W

TSTG

Interval de temperatura d'emmagatzematge

-55 a 150

TJ

Interval de temperatura de la unió de funcionament

-55 a 150

 

Símbol

Paràmetre

Condicions

Min.

Tip.

Màx.

Unitat

BVDSS

Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID= 250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficient de temperatura Referència al 25, joD= 1 mA

---

0,022

---

V/

RDS(ON)

Drenatge estàtic-font-resistència2 VGS=10V, ID= 20A

---

0,48

0,62

mΩ
VGS=4,5 V, ID= 20A

---

0,72

0,95

VGS(th)

Tensió de llindar de porta VGS=VDS, joD= 250uA

1.2

1.5

2.5

V

VGS (th)

VGS (th)Coeficient de temperatura

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Corrent de fuga drenatge-font VDS=24V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Corrent de fuga de la porta-font VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductància directa VDS=5V, ID= 10A

---

40

---

S

Rg

Resistència de la porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Càrrega total de la porta (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5 V, ID= 20A

---

89

---

nC

Qgs

Càrrega porta-font

---

37

---

Qgd

Càrrega de drenatge de la porta

---

20

---

Td (activat)

Temps de retard d'encesa VDD=15V, VGEN=10 V,

RG=1Ω, joD= 10A

---

25

---

ns

Tr

Temps de pujada

---

34

---

Td (desactivat)

Temps de retard d'apagada

---

61

---

Tf

Temps de tardor

---

18

---

Ciss

Capacitat d'entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Capacitat de sortida

---

4525

---

Crss

Capacitat de transferència inversa

---

139

---


  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho