WSD3023DN56 N-Ch i P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

productes

WSD3023DN56 N-Ch i P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

breu descripció:


  • Número de model:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDSON:14 mΩ/23 mΩ
  • ID:14A/-12A
  • Canal:Canal N i Canal P
  • Paquet:DFN5*6-8
  • Producte estiuenc:La tensió del MOSFET WSD3023DN56 és de 30 V/-30 V, el corrent és de 14 A/-12 ​​A, la resistència és de 14 mΩ/23 mΩ, el canal és N-Ch i P-Channel i el paquet és DFN5 * 6-8.
  • Aplicacions:Drones, motors, electrònica d'automòbils, grans electrodomèstics.
  • Detall del producte

    Aplicació

    Etiquetes de producte

    Descripció general

    El WSD3023DN56 és el MOSFET de trinxera N-ch i P-ch de més alt rendiment amb una densitat cel·lular extremadament alta, que proporcionen una excel·lent càrrega RDSON i de porta per a la majoria de les aplicacions de convertidor buck síncron. El WSD3023DN56 compleix els requisits de RoHS i Producte Verd 100% EAS garantit amb una fiabilitat de funció completa aprovada.

    Característiques

    Tecnologia avançada de trinxeres d'alta densitat de cèl·lules, càrrega de porta súper baixa, excel·lent disminució de l'efecte CdV/dt, 100% garantit EAS, dispositiu verd disponible.

    Aplicacions

    Convertidor Buck síncron de punt de càrrega d'alta freqüència per a MB/NB/UMPC/VGA, sistema d'alimentació DC-DC de xarxa, inversor de llum de fons CCFL, drons, motors, electrònica d'automòbils, electrodomèstics importants.

    el número de material corresponent

    PANJIT PJQ5606

    Paràmetres importants

    Símbol Paràmetre Valoració Unitats
    N-Ch P-Ch
    VDS Tensió drenatge-font 30 -30 V
    VGS Tensió porta-font ±20 ±20 V
    ID Corrent de drenatge continu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 25 ℃ 14* -12 A
    Corrent de drenatge continu, VGS (NP) = 10 V, Ta = 70 ℃ 7.6 -9,7 A
    IDP a Corrent de drenatge de pols provat, VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EAS c Energia d'allau, pols únic, L=0,5 mH 20 20 mJ
    IAS c Corrent d'allau, pols únic, L=0,5 mH 9 -9 A
    PD Dissipació total de potència, Ta = 25 ℃ 5.25 5.25 W
    TSTG Interval de temperatura d'emmagatzematge -55 a 175 -55 a 175
    TJ Interval de temperatura de la unió de funcionament 175 175
    RqJA b Resistència tèrmica-unió amb ambient, estat estacionari 60 60 ℃/W
    RqJC Resistència tèrmica: unió a caixa, estat estacionari 6.25 6.25 ℃/W
    Símbol Paràmetre Condicions Min. Tip. Màx. Unitat
    BVDSS Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(ON)d Drenatge estàtic-font-resistència VGS=10V, ID=8A --- 14 18.5
    VGS=4,5V, ID=5A --- 17 25
    VGS(th) Tensió de llindar de porta VGS=VDS, ID =250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS Corrent de fuga drenatge-font VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ --- --- 30
    IGSS Corrent de fuga de la porta-font VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Resistència de la porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.7 3.4 Ω
    Qge Càrrega total de la porta VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A --- 5.2 --- nC
    Qgse Càrrega porta-font --- 1.0 ---
    Qgde Càrrega de drenatge de la porta --- 2.8 ---
    Td(on)e Temps de retard d'encesa VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. --- 6 --- ns
    Tre Temps de pujada --- 8.6 ---
    Td(apagat)e Temps de retard d'apagada --- 16 ---
    Tfe Temps de tardor --- 3.6 ---
    Cisse Capacitat d'entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 545 --- pF
    Cosse Capacitat de sortida --- 95 ---
    Crsse Capacitat de transferència inversa --- 55 ---

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho