WSD30150ADN56 MOSFET WINSOK de canal N 30V 145A DFN5X6-8
Visió general del producte WINSOK MOSFET
La tensió del MOSFET WSD30150DN56 és de 30 V, el corrent és de 150 A, la resistència és de 1,8 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.
Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET
E-cigarrets MOSFET, MOSFET de càrrega sense fils, drons MOSFET, MOSFET d'atenció mèdica, carregadors de cotxes MOSFET, controladors MOSFET, productes digitals MOSFET, petits electrodomèstics MOSFET, MOSFET d'electrònica de consum.
WINSOK MOSFET correspon a altres números de material de marca
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
MOSFET NIKO-SEM PKC26BB, PKE24BB.
MOSFET POTENS Semiconductor PDC392X.
Paràmetres MOSFET
| Símbol | Paràmetre | Valoració | Unitats |
| VDS | Tensió drenatge-font | 30 | V |
| VGS | Porta-Source Tensió | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrent de drenatge continu, VGS@10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrent de drenatge continu, VGS@10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Corrent de drenatge polsat2 | 200 | A |
| EAS | Energia d'allau de pols únic3 | 125 | mJ |
| IAS | Corrent d'allau | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipació total de potència4 | 62,5 | W |
| TSTG | Interval de temperatura d'emmagatzematge | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatura de la unió de funcionament | -55 a 150 | ℃ |
| Símbol | Paràmetre | Condicions | Min. | Tip. | Màx. | Unitat |
| BVDSS | Tensió de ruptura drenatge-font | VGS=0V, ID= 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficient de temperatura | Referència al 25℃, joD= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=10V, ID= 20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5 V, ID= 15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Tensió de llindar de porta | VGS=VDS, joD= 250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficient de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrent de fuga drenatge-font | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrent de fuga de la porta-font | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transconductància directa | VDS=5V, ID= 10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Resistència de la porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Càrrega total de la porta (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5 V, ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Càrrega porta-font | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Càrrega de drenatge de la porta | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (activat) | Temps de retard d'encesa | VDD=15V, VGEN=10 V, RG=6Ω, joD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Temps de pujada | --- | 12 | --- | ||
| Td (desactivat) | Temps de retard d'apagada | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Temps de tardor | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Capacitat d'entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Capacitat de sortida | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Capacitat de transferència inversa | 260 | 320 | 420 |
