WSD30140DN56 MOSFET WINSOK de canal N 30V 85A DFN5 * 6-8

productes

WSD30140DN56 MOSFET WINSOK de canal N 30V 85A DFN5 * 6-8

breu descripció:


  • Número de model:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Canal:Canal N
  • Paquet:DFN5*6-8
  • Producte estiuenc:La tensió del MOSFET WSD30140DN56 és de 30 V, el corrent és de 85 A, la resistència és de 1,7 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5 * 6-8.
  • Aplicacions:Cigarrets electrònics, carregadors sense fil, drons, assistència mèdica, carregadors de cotxes, controladors, productes digitals, petits electrodomèstics, electrònica de consum, etc.
  • Detall del producte

    Aplicació

    Etiquetes de producte

    Descripció general

    El WSD30140DN56 és el MOSFET de canal N de trinxera de més alt rendiment amb una densitat de cèl·lules molt alta que proporciona una excel·lent càrrega RDSON i de porta per a la majoria d'aplicacions de convertidor buck síncron. WSD30140DN56 compleix amb els requisits de RoHS i productes ecològics, garantia 100% EAS, aprovació de la fiabilitat de la funció completa.

    Característiques

    Tecnologia avançada de trinxera d'alta densitat cel·lular, càrrega de porta ultra baixa, excel·lent atenuació de l'efecte CdV/dt, garantia 100% EAS, dispositius verds disponibles

    Aplicacions

    Sincronització del punt de càrrega d'alta freqüència, convertidors buck, sistemes d'alimentació DC-DC en xarxa, aplicacions d'eines elèctriques, cigarrets electrònics, càrrega sense fil, drons, assistència mèdica, càrrega de cotxes, controladors, productes digitals, petits electrodomèstics, electrònica de consum

    el número de material corresponent

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. A NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

    Paràmetres importants

    Símbol Paràmetre Valoració Unitats
    VDS Tensió drenatge-font 30 V
    VGS Tensió porta-font ±20 V
    ID@TC=25℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Corrent de drenatge continu, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Corrent de drenatge polsat 2 300 A
    PD@TC=25℃ Dissipació total de potència 4 50 W
    TSTG Interval de temperatura d'emmagatzematge -55 a 150
    TJ Interval de temperatura de la unió de funcionament -55 a 150
    Símbol Paràmetre Condicions Min. Tip. Màx. Unitat
    BVDSS Tensió de ruptura drenatge-font VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficient de temperatura BVDSS Referència a 25 ℃, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(ON) Drenatge estàtic-font-resistència 2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4,5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Tensió de llindar de porta VGS=VDS, ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Corrent de fuga drenatge-font VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Corrent de fuga de la porta-font VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductància directa VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Càrrega total de la porta (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Càrrega porta-font --- 9.5 ---
    Qgd Càrrega de drenatge de la porta --- 11.4 ---
    Td (activat) Temps de retard d'encesa VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Temps de pujada --- 6 ---
    Td (desactivat) Temps de retard d'apagada --- 38.5 ---
    Tf Temps de tardor --- 10 ---
    Ciss Capacitat d'entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Capacitat de sortida --- 1280 ---
    Crs Capacitat de transferència inversa --- 160 ---

  • Anterior:
  • Següent:

  • Escriu el teu missatge aquí i envia'ns-ho