WSD20100DN56 MOSFET WINSOK de canal N 20V 90A DFN5X6-8
Visió general del producte WINSOK MOSFET
La tensió del MOSFET WSD20100DN56 és de 20 V, el corrent és de 90 A, la resistència és de 1,6 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.
Àrees d'aplicació WINSOK MOSFET
Cigarrets electrònics MOSFET, drons MOSFET, eines elèctriques MOSFET, pistoles fascia MOSFET, PD MOSFET, petits electrodomèstics MOSFET.
WINSOK MOSFET correspon a altres números de material de marca
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Paràmetres MOSFET
| Símbol | Paràmetre | Valoració | Unitats |
| VDS | Tensió drenatge-font | 20 | V |
| VGS | Tensió porta-font | ±12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrent de drenatge continu1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corrent de drenatge continu1 | 48 | A |
| IDM | Corrent de drenatge polsat2 | 270 | A |
| EAS | Energia d'allau de pols únic3 | 80 | mJ |
| IAS | Corrent d'allau | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Dissipació total de potència4 | 83 | W |
| TSTG | Interval de temperatura d'emmagatzematge | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Interval de temperatura de la unió de funcionament | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Unió de resistència tèrmica-ambient1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Unió de resistència tèrmica-ambient1(Estat estacionari) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Resistència tèrmica Caixa d'unió1 | 1.5 | ℃/W |
| Símbol | Paràmetre | Condicions | Min | Tip | Màx | Unitat |
| BVDSS | Tensió de ruptura drenatge-font | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Tensió de llindar de porta | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Drenatge estàtic-font-resistència2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Corrent de fuga drenatge-font | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrent de fuga de la porta-font | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Resistència de la porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Càrrega total de la porta (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Càrrega porta-font | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Càrrega de drenatge de la porta | --- | 14 | --- | ||
| Td (activat) | Temps de retard d'encesa | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Temps de pujada | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (desactivat) | Temps de retard d'apagada | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Temps de tardor | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacitat d'entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacitat de sortida | --- | 501 | --- | ||
| Crs | Capacitat de transferència inversa | --- | 321 | --- | ||
| IS | Font de corrent continu1,5 | VG=VD=0V, corrent de força | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tensió directa del díode2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Temps de recuperació inversa | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Càrrec de recuperació inversa | --- | 72 | --- | nC |
