WSD100N15DN56G MOSFET WINSOK de canal N 150V 100A DFN5X6-8

Número de peça:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6 mΩ

Canal:Canal N

Paquet:DFN5X6-8

Envieu-nos un correu electrònic PDF

Detall del producte

La tensió del MOSFET WSD100N15DN56G és de 150 V, el corrent és de 100 A, la resistència és de 6 mΩ, el canal és de canal N i el paquet és DFN5X6-8.

Fonts d'alimentació mèdica MOSFET, PDs MOSFET, drons MOSFET, cigarrets electrònics MOSFET, grans electrodomèstics MOSFET i eines elèctriques MOSFET.

Símbol	Paràmetre	Valoració	Unitats
VDS	Tensió drenatge-font	150	V
VGS	Tensió porta-font	±20	V
ID	Corrent de drenatge continu, V_GS@ 10 V (T_C= 25 ℃)	100	A
IDM	Corrent de drenatge polsat	360	A
EAS	Energia d'allau de pols únic	400	mJ
P_D	Dissipació total de potència..._C= 25 ℃)	160	W
RθJA	Resistència tèrmica, unió-ambient	62	℃/W
RθJC	Resistència tèrmica, caixa d'unió	0,78	℃/W
TSTG	Interval de temperatura d'emmagatzematge	-55 a 175	℃
T_J	Interval de temperatura de la unió de funcionament	-55 a 175	℃

Símbol	Paràmetre	Condicions	Min.	Tipus.	Màx.	Unitat
BV_DSS	Tensió de ruptura drenatge-font	V_GS=0V, I_D= 250uA	150	---	---	V
RDS(ON)	Drenatge estàtic-font-resistència²	V_GS=10V, I_D= 20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Tensió de llindar de porta	V_GS=V_DS, jo_D= 250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Corrent de fuga drenatge-font	V_DS=100 V, V_GS=0V, T_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Corrent de fuga de la porta-font	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Càrrega total de la porta	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D= 20A	---	66	---	nC
Q_gs	Càrrega porta-font		---	26	---
Q_gd	Càrrega de drenatge de la porta		---	18	---
Td (activat)	Temps de retard d'encesa	V_DD=50V,V_GS= 10 V R_G=2Ω, I_D= 20A	---	37	---	ns
T_r	Temps de pujada		---	98	---
Td (desactivat)	Temps de retard d'apagada		---	55	---
T_f	Temps de tardor		---	20	---
C_iss	Capacitat d'entrada	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Capacitat de sortida		---	1730	---
C_rss	Capacitat de transferència inversa		---	195	---