-
Els tres pins d'un MOSFET, com els puc diferenciar?
Els MOSFET (tubs d'efecte de camp) solen tenir tres pins, Gate (G per abreujar), Source (S per abreujar) i Drain (D per abreujar). Aquests tres pins es poden distingir de les següents maneres: I. Porta d'identificació de pins (G): és habitual...Llegeix més -
La diferència entre un díode corporal i un MOSFET
El díode corporal (que sovint es coneix simplement com a díode normal, ja que el terme "díode corporal" no s'utilitza habitualment en contextos regulars i pot referir-se a una característica o estructura del díode en si; tanmateix, per a aquest propòsit, assumim es refereix a un díode estàndard)...Llegeix més -
Capacitat de la porta, resistència a l'encesa i altres paràmetres dels MOSFET
Paràmetres com la capacitat de la porta i la resistència a l'encesa d'un MOSFET (Transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic-semiconductor) són indicadors importants per avaluar el seu rendiment. A continuació es mostra una explicació detallada d'aquests paràmetres: ...Llegeix més -
Quant saps sobre el símbol MOSFET?
Els símbols MOSFET s'utilitzen generalment per indicar la seva connexió i les característiques funcionals al circuit. MOSFET, nom complet Transistor d'efecte de camp semiconductor d'òxid metàl·lic (Transistor d'efecte de camp semiconductor d'òxid metàl·lic), és una mena de semiconductor controlat per tensió...Llegeix més -
Per què es controla la tensió dels MOSFET?
Els MOSFET (transistors d'efecte de camp semiconductors d'òxid metàl·lic) s'anomenen dispositius controlats per tensió principalment perquè el seu principi de funcionament es basa principalment en el control de la tensió de la porta (Vgs) sobre el corrent de drenatge (Id), en lloc de dependre del corrent per controlar i. .Llegeix més -
Què és PMOSFET, ho saps?
PMOSFET, conegut com a Semiconductor d'òxid metàl·lic de canal positiu, és un tipus especial de MOSFET. A continuació es mostra una explicació detallada dels PMOSFET: I. Estructura bàsica i principi de funcionament 1. Estructura bàsica Els PMOSFET tenen substrats de tipus n...Llegeix més -
Coneixeu els MOSFET d'esgotament?
El MOSFET d'esgotament, també conegut com a esgotament del MOSFET, és un estat de funcionament important dels tubs d'efecte de camp. A continuació es presenta una descripció detallada del mateix: Definicions i característiques DEFINICIÓ: Un MOSFET d'esgotament és un tipus especial de...Llegeix més -
Saps què és un MOSFET de canal N?
MOSFET de canal N, transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic i semiconductor de canal N, és un tipus important de MOSFET. A continuació es mostra una explicació detallada dels MOSFET de canal N: I. Estructura i composició bàsiques Un canal N...Llegeix més -
Circuit anti-revers MOSFET
El circuit anti-revers MOSFET és una mesura de protecció que s'utilitza per evitar que el circuit de càrrega sigui danyat per la polaritat de potència inversa. Quan la polaritat de l'alimentació és correcta, el circuit funciona normalment; quan la polaritat de la font d'alimentació s'inverteix, el circuit és automàtic...Llegeix més -
Coneixeu la definició de MOSFET?
El MOSFET, conegut com a transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic, és un dispositiu electrònic àmpliament utilitzat que pertany a un tipus de transistor d'efecte de camp (FET). L'estructura principal d'un MOSFET consisteix en una porta metàl·lica, una capa aïllant d'òxids. (normalment diòxid de silici SiO₂...Llegeix més -
CMS32L051SS24 MCU Paquet Cmsemicon® SSOP24 Lot 24+
CMS32L051SS24 és una unitat de microcontrolador de potència ultra baixa (MCU) basada en el nucli RISC de 32 bits ARM®Cortex®-M0+ d'alt rendiment, que s'utilitza principalment en escenaris d'aplicació que requereixen un baix consum d'energia i una alta integració. El següent introduirà...Llegeix més -
CMS8H1213 MCU Cmsemicon® Package SSOP24 Lot 24+
El model Cmsemicon® MCU CMS8H1213 és un SoC de mesura d'alta precisió basat en el nucli RISC, utilitzat principalment en camps de mesura d'alta precisió com ara bàscules humanes, bàscules de cuina i bombes d'aire. A continuació s'introdueixen els paràmetres detallats de...Llegeix més
