-
La diferència entre MOSFET de canal N i MOSFET de canal P! Ajudeu-vos a triar millor els fabricants de MOSFET!
Els dissenyadors de circuits han d'haver tingut en compte una pregunta a l'hora de triar MOSFET: haurien de triar MOSFET de canal P o MOSFET de canal N? Com a fabricant, heu de voler que els vostres productes competeixin amb altres comerciants a preus més baixos, i tots...Llegeix més -
Explicació detallada del diagrama de principi de funcionament de MOSFET | Anàlisi de l'estructura interna del FET
MOSFET és un dels components més bàsics de la indústria dels semiconductors. En circuits electrònics, MOSFET s'utilitza generalment en circuits amplificadors de potència o circuits d'alimentació de commutació i s'utilitza àmpliament. A continuació, OLUKEY us donarà un...Llegeix més -
Olukey t'explica els paràmetres de MOSFET!
Com un dels dispositius més bàsics en el camp dels semiconductors, MOSFET s'utilitza àmpliament tant en el disseny de circuits integrats com en les aplicacions de circuits a nivell de placa. Llavors, quant saps sobre els diferents paràmetres de MOSFET? Com a especialista en mitjans i baixos...Llegeix més -
Olukey: Parlem del paper del MOSFET en l'arquitectura bàsica de la càrrega ràpida
L'estructura bàsica de la font d'alimentació del control de qualitat de càrrega ràpida utilitza SSR de rectificació síncrona flyback + lateral secundari (secundari). Per als convertidors flyback, segons el mètode de mostreig de retroalimentació, es pot dividir en: costat primari (prima...Llegeix més -
Quant saps sobre els paràmetres MOSFET? OLUKEY ho analitza per tu
"MOSFET" és l'abreviatura de transistor d'efecte de camp de semiconductor d'òxid metàl·lic. És un dispositiu fet de tres materials: metall, òxid (SiO2 o SiN) i semiconductor. MOSFET és un dels dispositius més bàsics en el camp dels semiconductors. ...Llegeix més -
Com triar MOSFET?
Recentment, quan molts clients vinguin a Olukey per consultar sobre MOSFET, faran una pregunta, com triar un MOSFET adequat? Sobre aquesta pregunta, Olukey la respondrà per a tothom. En primer lloc, hem d'entendre el príncep...Llegeix més -
Principi de funcionament del mode de millora del canal N MOSFET
(1) L'efecte de control de vGS sobre l'ID i el canal ① Cas de vGS = 0 Es pot veure que hi ha dues unions PN adossades entre el drenatge d i la font s del MOSFET en mode de millora. Quan la tensió de la font de la porta vGS = 0, encara que el...Llegeix més -
La relació entre l'embalatge MOSFET i els paràmetres, com triar els FET amb l'embalatge adequat
①Embalatge endollable: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Tipus de muntatge en superfície: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5 * 6, DFN3 * 3; Diferents formes d'embalatge, el corresponent límit de corrent, voltatge i efecte de dissipació de calor de MO...Llegeix més -
Què signifiquen els tres pins G, S i D del MOSFET empaquetat?
Aquest és un sensor infraroig piroelèctric MOSFET empaquetat. El marc rectangular és la finestra de detecció. El pin G és el terminal de terra, el pin D és el drenatge intern del MOSFET i el pin S és la font interna del MOSFET. Al circuit,...Llegeix més -
La importància del MOSFET de potència en el desenvolupament i el disseny de la placa base
En primer lloc, la disposició del sòcol de la CPU és molt important. Hi ha d'haver prou espai per instal·lar el ventilador de la CPU. Si està massa a prop de la vora de la placa base, serà difícil instal·lar el radiador de la CPU en alguns casos en què el...Llegeix més -
Parleu breument sobre el mètode de producció d'un dispositiu de dissipació de calor MOSFET d'alta potència
Pla específic: un dispositiu de dissipació de calor MOSFET d'alta potència, que inclou una carcassa d'estructura buida i una placa de circuit. La placa de circuit està disposada a la carcassa. Una sèrie de MOSFET costat a costat estan connectats als dos extrems del circuit...Llegeix més -
Paquet FET DFN2X2 únic canal P 20V-40V model arranjament_WINSOK MOSFET
Paquet WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET de canal P únic, els models de tensió 20V-40V es resumeixen de la següent manera: 1. Model: WSD8823DN22 canal P únic -20V -3,4A, resistència interna 60mΩ Models corresponents: AOS:AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Llegeix més
