La tecnologia de càrrega ràpida, com a part bàsica dels equips electrònics moderns, s'està desenvolupant i evolucionant ràpidament.Impulsats pel mercat de càrrega ràpida, indústries com els telèfons intel·ligents i els vehicles elèctrics demanen cada cop més solucions de càrrega ràpides i eficients.La innovació en tecnologia de càrrega ràpida no només se centra en millorar la velocitat de càrrega, sinó que també posa èmfasi en la seguretat.De cara al futur, la tecnologia de càrrega ràpida es combinarà amb la càrrega sense fil i una tecnologia de bateries més eficient per aconseguir un salt qualitatiu i oferir als usuaris una experiència de càrrega més còmoda i respectuosa amb el medi ambient.Amb el desenvolupament de la tecnologia i l'expansió del mercat, s'espera que la indústria de càrrega ràpida continuï mantenint un creixement ràpid.
Quan parlem de l'aplicació deMOSFETen la tecnologia de càrrega ràpida, en realitat hi ha diversos maldecaps.
En primer lloc, perquè la càrrega ràpida requereix un gran corrent, elMOSFETs'escalfarà molt, i com fer front a aquesta calor es converteix en un gran problema.Després, també hi ha reptes d'eficiència.Quan es canvia ràpidament, el MOSFET perd fàcilment part de la seva energia, cosa que afecta l'eficiència de càrrega.A més, l'equip de càrrega ràpida espera ser el més petit possible, però això requereix que el MOSFET sigui petit i també per fer front al problema de la calor.Com que MOSFET canvia ràpidament, pot interferir amb altres equips electrònics, cosa que també és un problema.Finalment, l'entorn de càrrega ràpida té requisits elevats sobre la tensió i el corrent de resistència dels MOSFET, que és una prova del seu rendiment.Treballar en aquest entorn durant molt de temps també pot afectar la seva vida útil i fiabilitat.En resum, tot i que MOSFET és fonamental per a la càrrega ràpida, s'enfronta a molts reptes.
WINSOKMOSFET pot ajudar-vos a resoldre els problemes anteriors.Els principals models d'aplicació de WINSOK MOSFET en càrrega ràpida són:
| Número de peça | Configuració | Tipus | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | paquet | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Màx. | Min. | Tipus. | Màx. | Tipus. | Màx. | (pF) | ||||
| Solter | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Solter | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Solter | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Solter | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Solter | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Solter | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Solter | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Altres números de material de marca corresponents al MOSFET WINSOK anterior són:
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSD3050DN són: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939NY,SANTFperis49NY4939NY8XNTV. -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSD30L40DN són: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12503EEA.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSP6020 són: AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS56904.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSP16N10 són: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSP4435 són: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4803A, AO448073, AO4803A, AO4448073. ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microelectrònica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,.DTM4435,.D
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSP4407 són: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10PLLLS36,SLSLLSPLTS36,SLSLLSPLTS36 H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSP4606 són: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958AO4624,AO4627,AO4629. 01CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Els números de material corresponents de WINSOK MOSFET WSR80N10 són: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G.NPS10P0N3 G . BA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Hora de publicació: 28-nov-2023
